产品类型:磁阻数字式位置传感器 |
电源电压:3.8 Vdc 至 30 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 0.5 mT [5 G] |
存储温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
输出类型:电流沉 |
供电电流:11 mA(25°C 时的最大) |
密封:NEMA 3、3R、3S、4、4X、12、13 |
系列名称:SR4P3 |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
探头长度:25.4 mm [1 英寸] |
漏电流:10 µA |
输出电流:最大值 20 mA |
励磁器类型:全向极性 |
差压:最大 0.7 mT [7 G] |
封装类型:塑料圆柱 |
端子类型:1 m [39.4 英寸] 电缆;2 m [79 英寸] 电缆;615.7 mm [24.24 英寸] 电缆/连接器;609.6 mm [24 英寸] 电缆/连接器;152.4 mm [6 英寸] 绞合引线 |
输出电压:最大 0.4 Vdc(工作) |
操作点 (OP):最大 2.5 mT [25 G] |
产品类型:霍尔效应数字式位置传感器 |
电源电压:6.0 Vdc 至 24.0 Vdc;4.5 Vdc 至 24.0 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs;最大 1.0 µs;最大 0.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 -15 mT [-150 G];最小 17 mT [170 G];最小 6 mT [60 G] |
存储温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
密封:NEMA 3、3R、3S、4、4X、12、13 |
输出类型:电流沉 |
供电电流:19 mA(25°C 时的最大值);18 mA(25°C 时的最大值);15 mA(25°C 时的最大值) |
系列名称:SR3 |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
探头长度:25.4 mm [1 英寸] |
漏电流:20 µA;10 µA |
励磁器类型:单极;双极 |
输出电流:最大值 20 mA |
差压:最小 4 mT [40 G];最小 2 mT [20 G];最小 1 mT [10 G] |
封装类型:塑料圆柱 |
端子类型:123.4 mm [4.86 英寸],绞合引线;285.8 mm [11.25 英寸],绞合引线;152.4 mm [6 英寸] 绞合引线 |
输出电压:最大 0.4 Vdc(工作) |
操作点 (OP):最大 19 mT [190 G];最大 45 mT [450 G];最大 15 mT [150 G] |
产品类型:霍尔效应叶片位置传感器;极具价格竞争力的霍尔数字式叶片传感器 |
电源电压:3.8 Vdc 至 30 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
湿度:95% RH/40°C 100 h |
存储温度:-20°C 至 85°C [-4°F 至 185°F] |
供电电流:10 mA(25°C 时的最大) |
输出类型:电流沉 |
系列名称:SR16;SR17 |
工作温度:-20°C 至 85°C [-4°F 至 185°F] |
漏电流:10 µA |
输出电流:最大值 20 mA;最大 40 mA |
振动:10 g/10 Hz 至 500 Hz |
封装类型:双塔及其附属 PCB/Molex 5557 连接器;侧装线出口;双塔线路出口;双塔式印刷电路板安装引线;带有连接器的双塔线路出口 |
端子类型:印刷电路板安装引线;300.7 mm [11.8 英寸],引线;26-测量计 7 绞合引线;Molex 3 针连接器;AMP 3 引脚连接器 |
输出电压:最大 0.4 Vdc(工作) |
电源电压:4.5 Vdc 至 10.5 Vdc;4.5 Vdc 至 24.0 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 0.5 µs |
UPC 代码:78454910325;78454972170;78454972150;78454900326;78454900317;78454900315;78454900318;78454900316;78454993231;78454900321;78454938673;78454900325;78454900324;78454972151;78454900320;78454900319;78454900322;78454900323;78454972158 |
原产地:墨西哥 |
供电电流:10 mA(25°C 时的最大) |
工作温度:-40°C 至 100°C [-40°F 至 212°F];-40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F] |
漏电流:10 µA;20 µA |
励磁器类型:单极;线性;闭锁 |
差压:最小 4.0 mT [40 G] |
单位封装 - 净重:7.5 G |
HTS 代码:8543704000 |
操作点 (OP):最大 47.5 mT [475 G] |
单位封装 - 宽度:0.469 MM |
单位封装 - 高度:0.469 MM |
产品类型:霍尔效应数字式位置传感器 |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 13.5 mT [135 G] |
符合 RoHS 的规定:合规 |
符合 WEEE 的规定:2;4 |
存储温度:-40°C 至 100°C [-40°F 至 212°F] |
密封:NEMA 3、3R、3S、4、12、13;NEMA 3、3R、3S、4、4X、12、13 |
输出类型:推拉型;电流沉 |
系列名称:103SR |
探头长度:25.4 mm [1 英寸] |
输出电流:最大值 20 mA;1 mA(最大 mA,电流沉或电流源,Vs > 5 Vdc) |
产品线:磁性传感器 |
封装类型:密封 15/32-32 UNS-2A 圆柱形不锈钢螺纹外壳;密封 15/32-32 UNS-2A 圆柱形铝制螺纹外壳 |
端子类型:419 mm [16.5 英寸] 24 号线规绞合引线,采用辐照聚乙烯绝缘;305 mm [12.0 英寸] 24 号线规绞合引线,采用辐照聚乙烯绝缘;2006 mm [79 英寸] 22 号线规 PVC 绝缘导体线,带黑色模制 PVC 护套;3048 mm [120.0 英寸] 24 号线规绞合引线,采用辐照聚乙烯绝缘;142 mm [5.6 英寸] 22 号线规 PVC 绝缘导体线,带黑色模制 PVC 护套;1000 mm [40.0 英寸] 24 号线规绞合引线,采用辐照聚乙烯绝缘;152 mm [6.0 英寸] 24 号线规绞合引线,辐照聚乙烯;1000 mm [40.0 英寸] 22 号线规 PVC 绝缘导体线,带黑色模制 PVC 护套;152 mm [6.0 英寸] 24 号线规绞合引线,采用辐照聚乙烯绝缘;2997 mm [118.0 英寸] 22 号线规绝缘导体线,带黄色热塑性聚氨酯护套;1000 mm [40.0 英寸] 22 号线规绝缘导体线,带黄色热塑性聚氨酯护套;356 mm [14.0 英寸] 24 号线规绞合引线,采用辐照聚乙烯绝缘 |
输出电压:0.4 Vdc 至 Vs - 0.4 Vdc(最小);0.2 Vdc 至 (Vs - 0.2 Vdc)(典型值);最大 0.4 Vdc(工作) |
静电敏感:是 |
盐雾:5 %/48 小时/35°C |
产品类型:霍尔效应叶片位置传感器 |
电源电压:4.5 Vdc 至 24.0 Vdc |
温度冲击:-40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F]/30 分钟 ea |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.0 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
湿度:85% RH/80°C,250 h |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
供电电流:18.5 mA(25°C 时的最大) |
输出类型:电流沉 |
系列名称:4AV |
工作温度:-40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F] |
漏电流:10 µA |
输出电流:最大 40 mA |
振动:10 g/55 Hz 至 2 kHz |
封装类型:双塔线路出口 |
端子类型:558.08 mm [22.00 英寸] 引线 |
输出电压:最大 0.4 Vdc(工作) |
产品类型:霍尔效应数字式位置传感器 |
电源电压:3.8 Vdc 至 30 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 2.0 mT [20 G];最小 7.50 mT [75 G];最大 -8.5 mT [-85 G] |
供电电流:13 mA(25°C 时的最大值) |
输出类型:电流沉 |
系列名称:SR13;SR15 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:5 µA |
输出电流:最大值 20 mA |
励磁器类型:双极;单极 |
差压:最小 2.0 mT [20 G];最小 5.0 mT [50 G];最小 2.5 mT [25 G] |
封装类型:塑料嵌入式; 塑料外壳 |
端子类型:152.4 mm [6 英寸] 绞合引线;254.0 mm [10.0 英寸],绞合引线 |
输出电压:最大 0.4 Vdc(工作) |
操作点 (OP):最大 15.0 mT [115 G];最大 8.5 mT [85 G];最大 18.0 mT [180 G] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路 |
电源电压:3 Vdc 至 24 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 2 G,典型值 4.8 G,最大 9 G;典型值 -130 G (25°C);最小 3 G,典型值 9.3 G,最大 18 G |
操作点:最小 3 G,典型值 7 G,最大 11 G;最小 6 G,典型值 14 G,最大 20 G |
存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F] |
供电电流:5 Vdc 时,最大为 8 mA |
输出类型:灌电流 |
系列名称:标准功率 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:全向极性 |
差压:典型值 5.7 G;典型值 2.2 G |
封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘,3000 件/盘;扁平 TO-92 式,标准直引脚,散装,1000 件/袋 |
输出类型:数字式 |
供电电流:典型值 100 uA |
系列名称:Nanopower |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路 |
电源电压:最小 1.65 V,典型值 1.8 V,最大 5.5 V |
励磁器类型:全向极性 |
差压:典型值 4 G;典型值 2 G |
封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘,3000 件/盘 |
释放点:最小 2 G,典型值 5 G;最小 3 G,典型值 10 G |
输出电压:低 |
操作点:最小 6 G,典型值 14 G,最大 20 G;最小 3 G,典型值 7 G,最大 11 G |
输出类型:数字式 |
供电电流:典型值 2.5 mA |
系列名称:微功率 SL353 |
占空比:极低:0.013% 典型值;高:13% 典型值 |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
产品类型: 霍尔效应数字式位置传感器集成电路 |
电源电压:最小 2.2 Vdc,典型值 2.8 Vdc,最大 5.5 Vdc |
励磁器类型:全向极性 |
封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘,3000 件/盘 |
输出电压:低 |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路 |
电源电压:3.8 Vdc 至 30 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:最小 4 G(-40°C 至 150°C) |
操作点:最大 25 G (-40°C 至 150°C) |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
输出类型:灌电流 |
供电电流:最大 11 mA |
系列名称:2SS52M |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:全向极性 |
输出电流:最大值 20 mA |
差压:最大 8 G (-40°C 至 150°C) |
封装类型:U-Pack 成型引脚,5000 件/胶带封装盒;U-Pack 直形引脚,5000 件/胶带封装盒;SOT-89B、卷带和卷盘,1000 件/盘;U-Pack 表面贴装,1000 件/包;U-Pack 直形引脚,1000 件/包 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
产品类型: 霍尔效应数字式位置传感器集成电路 |
电源电压:4.5 Vdc 至 60 Vdc(-40°C 至 150°C),4.5 Vdc 至 24 Vdc (150°C) |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:典型值 -25 G (-40°C 至 150°C) |
操作点:典型值 25 G (-40°C 至 150°C) |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
供电电流:最大 10 mA |
输出类型:灌电流 |
系列名称:SS41K6 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
输出电流:最小 40 mA |
励磁器类型:双极 |
差压:典型值 30 G (-40°C 至 150°C) |
封装类型:扁平 TO-92 式,标准直引脚,散装,1000 件/袋 |
输出电压:最大 0.6 Vdc |
产品类型:霍尔效应线性传感器集成电路 |
电源电压:4.5 V 至 10.5 V |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F] |
供电电流:5 Vdc 时典型值为 7.0 mA |
输出类型:电流沉或电流源 |
系列名称:SS490 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:线性 |
输出电流沉:Vs > 4.5 V 时,最小为 0.6 mA,典型值为 1.5 mA |
封装类型:扁平 TO-92 式,标准直引脚,胶带封装盒,5000 件/盒;扁平 TO-92 式,表面贴装,卷带和卷盘,1000 件/盘;扁平 TO-92 式,成型引脚,胶带封装盒,5000 件/盒;扁平 TO-92 式,表面贴装,散装,1000 件/袋;扁平 TO-92 式,长直引脚,散装,1000 件/袋;扁平 TO-92 式,标准直引脚,散装,1000 件/袋 |
响应时间:3 µs |
输出电压:0.2 V 至 Vs -0.2 V 典型值,0.4 V 至 Vs - 0.4 V 最小 |
输出电流源:Vs > 4.5 V 时,最小为 1 mA,典型值为 1.5 mA |
灵敏度:最小 2.875 mV/G,典型值 3.125 mV/G,最大 3.375 mV/G;最小 2.425 mV/G,典型值 2.500 mV/G,最大 2.575 mV/G;最小 2.4 mV/G,典型值 2.5 mV/G,最大 2.575 mV/G;最小 4.6 mV/G,典型值 5.0 mV/G,最大 5.4 mV/G;最小 3.00 mV/G,典型值 3.125 mV/G,最大 3.25 mV/G;最小 2.300 mV/G,典型值 2.500 mV/G,最大 2.700 mV/G;最小 2.969 mV/G,典型值 3.125 mV/G,最大 3.281 mV/G;最小 3.031 mV/G,典型值 3.125 mV/G,最大 3.219 mV/G |
供电电流:5 Vdc 时,7 mA |
输出类型:双模拟电压对磁场角度的变化作出响应 |
系列名称:APS00B |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 模拟角度传感器集成电路放大器;各向异性磁阻式 (AMR) 模拟角度传感器集成电路 |
电源电压:典型值 5 Vdc,最大 12 Vdc |
励磁器类型:模拟型,饱和模式 |
封装类型:SOIC-8,卷带和 178 mm [7 英寸] 卷盘,1000 件/盘;SOIC-8,卷带和 330 mm [13 英寸] 卷盘,4000 件/盘 |
输出电压:135 mV(峰间值) |
灵敏度:2.3 mV/度(最大) |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 速度传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度、方向或位置传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度和方向传感器集成电路 |
电源电压:4 Vdc 至 24 Vdc;4 Vdc 至 24 Vdc(-40°C 至 110°C),4.0 V 至 9 V (150°C) |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 8 µs;最大 1.5 µs |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
供电电流:最大值 20 mA;高:14 mA 典型值,低:6.95 mA 典型值 |
输出类型:二针 PWM 电流;四针正交、集电极开路;二针电流 |
系列名称:VM |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:AMR 桥式阵列 |
输出电流:最大值 20 mA |
封装类型:2 针 SIP、500 件/包;4 针 SIP、500 件/包 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
输出类型:灌电流 |
供电电流:10 mA |
系列名称:VG481V1 |
工作温度:-40°C 至 150°C |
产品类型:后偏置霍尔效应速度传感器 IC |
漏电流:最大 10 µA |
电源电压:4 Vdc 至 24 Vdc |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1 µs |
输出电流沉:最大 5 mA |
封装类型:扁平 TO-92 式,标准直引脚,散装,1000 件/袋 |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 10 µs |
存储温度:-55°C 至 150°C |
产品类型: 霍尔效应数字式位置传感器集成电路 |
电源电压:3.4 Vdc 至 24 Vdc |
工作频率:最小 0 Hz 至最大 10000 Hz |
开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs |
开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs |
释放点:典型值 -130 G (25°C) |
操作点:典型值 130 G |
存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F] |
供电电流:关:最大 12 mA,开:最大 14 mA |
输出类型:灌电流 |
系列名称:VF526DT |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
输出电流:每输出最大 5 mA |
励磁器类型:闭锁 |
差压:典型值 260 G |
封装类型:SOT-89B、卷带和卷盘,1000 件/盘 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
查看更多