类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H × 1208V |
每秒帧数:40 |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
类型:CMOS |
像素大小:2µm x 2µm |
有源像素阵列:2312H x 1746V |
每秒帧数:120 |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-mPLCC(10.16x10.16) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H x 1088V |
每秒帧数:60 |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-mPLCC(11.43x11.43) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
每秒帧数:60 |
工作温度:-40°C ~ 110°C |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:4096H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:3072H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:4.8µm x 4.8µm |
有源像素阵列:1920H x 1080V |
每秒帧数:92 |
电压 - 供电:1.8V,3.3V |
封装/外壳:52-LCC |
供应商器件封装:52-PLCC(19.1x19.1) |
工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:3072H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:4096H x 2160V |
每秒帧数:128 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:9.9µm x 9.9µm |
有源像素阵列:640H x 480V |
每秒帧数:250 |
电压 - 供电:2.5V ~ 3.3V |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-LCC(14.22x14.22) |
工作温度:-40°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:4.5µm x 4.5µm |
有源像素阵列:5120H x 5120V |
每秒帧数:53 |
电压 - 供电:1.8V,3.3V |
封装/外壳:355-BSPGA,窗口 |
供应商器件封装:355-µPGA |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:4.5µm x 4.5µm |
有源像素阵列:4096H x 4096V |
每秒帧数:80 |
电压 - 供电:1.8V ~ 3.3V |
封装/外壳:355-BSPGA,窗口 |
供应商器件封装:355-µPGA |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1280H x 800V |
每秒帧数:60 |
封装/外壳:69-WFBGA,CSPBGA |
供应商器件封装:69-ODCSP(5.55x5.57) |
类型:CMOS |
像素大小:18µm x 18µm |
有源像素阵列:1024H x 1024V |
每秒帧数:10 |
电压 - 供电:3.3V |
封装/外壳:84-CLCC 窗口(J 形引线) |
供应商器件封装:84-JLCC(26.8x26.8) |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:4096H x 2160V |
每秒帧数:128 |
电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:4096H x 2160V |
每秒帧数:128 |
电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:3072H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:12µm x 12µm |
有源像素阵列:2048H x 2048V |
每秒帧数:15 |
电压 - 供电:2.5V,3.3V |
封装/外壳:127-BPGA |
供应商器件封装:127-PGA(42x42) |
工作温度:0°C ~ 60°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:9.9µm x 9.9µm |
有源像素阵列:640H x 480V |
每秒帧数:250 |
电压 - 供电:2.5V ~ 3.3V |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-LCC(14.22x14.22) |
工作温度:-40°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 VGA 1/3 GS CIS Image Sensor |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 105 C |
最小工作温度:- 40 C |
封装 / 箱体:IBGA-52 |
封装:Tray |
商标:ON Semiconductor |
工作电源电压:3.3 V |
工厂包装数量:5 |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:3 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:WVGA |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1.2 MP 1/3 GS CIS Image Sensor |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:ILCC-48 |
封装:Tray |
商标:ON Semiconductor |
工作电源电压:1.8 V |
工厂包装数量:5 |
电源电压-最大:1.95 V |
电源电压-最小:1.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1.2 MP 1/3 CIS Image Sensor |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:PLCC-48 |
封装:Tray |
商标:ON Semiconductor |
工作电源电压:1.8 V |
工厂包装数量:5 |
电源电压-最大:1.95 V |
电源电压-最小:1.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 2 MP 1/3 CIS Image Sensor |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:IBGA-80 |
封装:Tray |
商标:ON Semiconductor |
工作电源电压:1.8 V |
工厂包装数量:5 |
电源电压-最大:1.95 V |
电源电压-最小:1.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2.1 Megapixels |
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