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Taiyo Yuden 太阳诱电
太阳诱电株式会社（TAIYO YUDEN）总部设在日本东京，自1950年创设以来，从电容器起步，不断致力于电感器、FBAR/SAW器件、电路模块、能源器件等各类电子元器件的研究、开发、生产和销售，成为全球知名制造商。逐步发展到今天的规模，他们的优势在于以原材料研发为起点的商品化活动。太阳诱电利用这一优势，持续提供在各种细节上符合客户需求的产品，并且正努力向智能手机、平板、影音设备等电子设备以及加速实现IT化和电子设备化的汽车、工业设备、医疗保健、环境能源领域不断拓展。凭借在移动电话高频多层片式电感器领域近 50% 的全球市场份额，该公司最新年度销售额增长至3,009.20亿日元， 在全球，TAIYO YUDEN 员工超过了 2 万人。 中国业务太阳诱电(中国)投资有限公司太阳诱电(上海)电子贸易有限公司太阳诱电(深圳)电子贸易有限公司台湾太阳诱电股份有限公司香港太阳诱电有限公司
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  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    产品类别 :Speakers
    Manufacturer:Taiyo Yuden Co., Ltd.
    Manufacturer Part Number:MLS20070-1100-02
    Piezoelectric Technology:Pieezoelectric Technology;Required
    Resonance Frequency:1250 Hz
    Speaker Size:0.79 inch (20 mm)
    Spl:73 dB

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    产品类别 :Speakers
    Manufacturer:Taiyo Yuden Co., Ltd.
    Manufacturer Part Number:MLS23070-2100-06
    Piezoelectric Technology:Pieezoelectric Technology;Required
    Resonance Frequency:1050 Hz
    Speaker Size:0.91 inch (23 mm)
    Spl:73 dB

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    产品类别 :Speakers
    Manufacturer:Taiyo Yuden Co., Ltd.
    Manufacturer Part Number:MLS25070-2100-19
    Piezoelectric Technology:Pieezoelectric Technology;Required
    Resonance Frequency:900 Hz
    Speaker Size:0.98 inch (25 mm)
    Spl:73 dB

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:22k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4336K
    B25/85:4400K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:3.3k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:6.8k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:220
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:15k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4533K
    B25/85:4600K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:2.2k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:22k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4533K
    B25/85:4600K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:3.3k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:3.3k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:33k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4533K
    B25/85:4600K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:2.2k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:10k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4336K
    B25/85:4400K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:150k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4483K
    B25/85:4750K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:4.7k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4336K
    B25/85:4400K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:33k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4336K
    B25/85:4400K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:68k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4483K
    B25/85:4550K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:330
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:10k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:680
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:6.8k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4336K
    B25/85:4400K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:22k
    电阻容差:±10%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4336K
    B25/85:4400K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:35 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0402（1005 公制）

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25°C 时欧姆阻值:2.2k
    电阻容差:±5%
    B 值容差:±3%
    B25/50:4034K
    B25/85:4100K
    工作温度:-55°C ~ 125°C
    功率 - 最大值:63 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0603（1608 公制）
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