OPTEK / TT Electronics
英国 TT Electronics 的 Optek (Optek Technology)品牌为感应和照明应用设计、制造创新型光电解决方案。我们还能设计制造用于标牌、娱乐、外部和室内照明应用以及汽车和高可靠性应用的标准和专用照明组件。我们因能够提供在多种应用中使用的高度工程化和特定应用的光电传感器而受到广泛认可,包括办公设备、工业应用、编码器、军事和高可靠性应用、医疗诊断设备等。我们的霍尔效应和磁阻元件广泛应用于汽车行业的发动机控制和点火安全。OPTEK 还向数据通信领域提供其技术来制造工厂车间和当今高端汽车中使用的光纤组件。TT Electronics 是工程电子领域的一家面向性能关键型应用的全球供应商。TT 在全球 29 个主要地区拥有近 5,000 名员工,设计制造各种各样用于检测、电源管理和连接的电子器件,这些产品涵盖工业、医疗、航空航天、国防和运输等众多领域。主要产品 光纤元器件/组件光电器件磁传感器传感器:红外线/霍尔效应LED(SMT/通孔):红外线和可见光
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:卡销
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:20mT 跳闸,-20mT 释放
    测试条件:-40°C ~ 125°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):7mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:单极开关
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:20mT 跳闸,3mT 释放
    测试条件:25°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):11mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:单极开关
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:57.5mT 跳闸,10mT 释放
    测试条件:-55°C ~ 125°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):11mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:单极开关
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:42.5mT 跳闸,2.5mT 释放
    测试条件:-55°C ~ 125°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):11mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:单极开关
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:27mT 跳闸,2.5mT 释放
    测试条件:-55°C ~ 125°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):11mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:卡销
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:27.5mT 跳闸,-27.5mT 释放
    测试条件:-55°C ~ 125°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):11mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:卡销
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:27.5mT 跳闸,-27.5mT 释放
    测试条件:-55°C ~ 125°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):11mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    功能:卡销
    技术:霍尔效应
    极化:南极
    感应范围:27.5mT 跳闸,-27.5mT 释放
    测试条件:-55°C ~ 125°C
    电压 - 供电:4.5V ~ 24V
    电流 - 供电(最大值):11mA
    电流 - 输出(最大值):25mA
    输出类型:开路集电极
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:通孔
    供应商器件封装:TO-92-3
    封装/外壳:3-SSIP
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    类型:霍尔效应传感器
    输出类型:电压
    致动器材料:磁体
    端接样式:PC 引脚
    电压 - 供电:4.5V ~ 6V
    工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:3-SIP 模块
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    类型:霍尔效应传感器
    输出类型:电压
    致动器材料:磁体
    端接样式:PC 引脚
    电压 - 供电:4.5V ~ 6V
    工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:3-SIP 模块
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    类型:霍尔效应传感器
    输出类型:电流
    致动器材料:磁体
    端接样式:PC 引脚
    频率:200 kHz
    电压 - 供电:24V
    工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:3-SIP 模块
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800 µA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):1 µA
    波长:890nm
    视角:35°
    功率 - 最大值:50 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-65°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:丸状
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.4 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):1 µA
    波长:890nm
    视角:35°
    功率 - 最大值:50 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-65°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:丸状
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.4 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):1 µA
    波长:890nm
    视角:35°
    功率 - 最大值:50 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-65°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:丸状
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):1 µA
    波长:890nm
    视角:35°
    功率 - 最大值:50 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-65°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:丸状
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):1 µA
    波长:890nm
    视角:35°
    功率 - 最大值:50 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-65°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:丸状
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):1 µA
    波长:890nm
    视角:35°
    功率 - 最大值:50 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-65°C ~ 125°C(TA)
    封装/外壳:丸状
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):35 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):32 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    视角:150°
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:0805(2012 公制)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    视角:150°
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:0805(2012 公制)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):35 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):32 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    视角:150°
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:表面贴装型
    方向:顶视图
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装/外壳:0805(2012 公制)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.95 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    封装/外壳:T-1
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    封装/外壳:T-1
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    封装/外壳:T-1
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 µA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    封装/外壳:T-1
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.95 mA
    电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA
    波长:935nm
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:通孔
    方向:顶视图
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    封装/外壳:T-1
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