Honeywell 霍尼韦尔
1. 概述霍尼韦尔是一家《财富》全球500强的高科技企业。我们的高科技解决方案涵盖航空、楼宇和工业控制技术,特性材料,以及物联网。我们致力于将物理世界和数字世界深度融合,利用先进的云计算、数据分析和工业物联网技术解决棘手的经济和社会挑战。在中国,霍尼韦尔长期以创新来推动增长,贯彻“东方服务于东方”和“东方服务于全球”的战略。霍尼韦尔始创于1885年,在华历史可以追溯到1935年,在上海开设了第一个经销机构。目前,霍尼韦尔四大业务集团均已落户中国,上海是霍尼韦尔亚太区总部,同时在中国30多个城市拥有50多家独资公司和合资企业,其中包括20多家工厂。霍尼韦尔在华员工人数约11,000名,其中20%为研发人员,共同打造万物互联、更智能、更安全和更可持续发展的世界。2. 业务部门航空航天集团、智能建筑科技集团、特性材料和技术集团、安全与生产力解决方案集团3. 发展历程超过130年的创新:时光追溯到1885年,一个名为艾伯特•布兹 (Albert Butz) 的发明家获得了熔炉调节器和报警器的专利,并在美国明尼阿波利斯成立了布兹电子温度调节器公司。之后,他成功的研制出一种被其称为“ 风门挡板”的精巧装置,可以帮助室内温度自动调节。1904年,年轻的工程师马克•霍尼韦尔对加热器进行了完善,成为自身管道制造和加热业务的组成部分。两年后,霍尼韦尔特种加热器公司 (Honeywell Heating Specialty Co, incorporated)成立,专营热水器。1927年,明尼阿波利斯热调节器公司与霍尼韦尔特种加热器公司合并创立了明尼阿波利斯-霍尼韦尔调节器公司,成为当时最大的高品质控制器生产商。公司在经营过程中对控制器领域进行了几项成功的收购,其中值得一提的是工业控制器和指示器领域的全球领导者布朗仪器公司 (Brown Instrument Co.) ,它是高温计的发明者。1957年,收购了一家火警侦测与报警器公司 ,这是众多使公司发展成为当今全球领导者的收购项目中的第一宗。在北美许多城市,红黑两色的“享受霍尼韦尔的保护”的窗贴和招贴画几乎与Round恒温器一样有名。1963年,公司正式更名为霍尼韦尔公司,其实在此之前的近40年间,人们已经在不经意间称公司为霍尼韦尔了。六年后,霍尼韦尔的仪器仪表帮助美国宇航员尼尔•阿姆斯特朗(Neil Armstrong)和埃德温•巴兹•奥尔德林(Edwin "Buzz" Aldrin)登上了月球。 1970年,霍尼韦尔将其计算机业务与通用电气的计算机业务合并,组成霍尼韦尔信息系统公司(Honeywell Information Systems),在大型机市场上表现良好。1986年,个人电脑的出现,让公司与法国布尔机器公司(Compagnie des Machines Bull)及日本NEC公司合资成立了霍尼韦尔-布尔公司(Honeywell Bull)。由于后来霍尼韦尔的股权比例逐渐减少,最终撤出了该合资公司。但数字电脑技术被应用于霍尼韦尔传统的自动化控制领域,从而将传感器与执行器整合在了一起。 1986年,霍尼韦尔通过收购Sperry Aerospace公司,大大提高了在航空航天领域的地位。霍尼韦尔即刻成为世界领先的航空电子系统整合商。1991年,在新任首席执行官包熙迪(Larry Bossidy)以及许多关键业务的新一届领导层的带领下,联合信号公司开始了一项综合转型计划。通过采取大胆举措来改善现金流和经营利润率,提高生产力,使公司为未来几年的全球竞争做好准备。1993年,联信信号公司更名为联信公司,以强化一个公司的形象,也标志着各项业务的全面整合。1992年,公司通过净收益为9.40亿美元的公开招股,出售了联合德克萨斯天然气公司的其余股份。接下来的六年,包熙迪带领公司实现了增长和生产力转型,使联信公司的市值变为原来的五倍,远超道琼斯工业指数和标准普尔500指数。1999年,霍尼韦尔和联信公司合并,合并后的公司沿用霍尼韦尔的名称。4. 产品其中,霍尼韦尔传感和生产力解决方案具有出类拔萃的创新能力,该公司拥有超过 50,000 种产品,从微动开关、限位开关、拨动开关和压力开关到位置传感器、速度传感器、压力传感器、扭矩传感器和气流传感器,应有尽有,能满足任何行业和公司的需求。其开关和传感器解决方案可以满足广泛的基础应用和复杂应用需求,而定制设计解决方案则针对其所服务的每个行业提供具有更出色的精度、可重复性和坚固性的产品。霍尼韦尔(Honeywell)始创于1885年,总部位于美国新泽西州莫里斯镇,是一家世界领先的多元化跨国公司,全球业务涉及航空产品及服务、 住宅及楼宇控制和工业控制等领域。另外,霍尼韦尔还是全球传感器行业巨头。霍尼韦尔旗下的霍尼韦尔传感与生产力解决方案部(Honeywell Sensing and Productivity Solutions)提供超过5万种的产品,包括微动、限 位、轻触和压力开关,以及位置、速度、压力、温湿度、电流和气流质量流量传感器,是传感与开关产品涵盖范围最广的厂商之一。
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    线性度(全量程的 %):典型值 ±0.1% -40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F];最大 ±2.0%,-70°C 至 500°C [-94°F 至 932°F];典型值 ±0.1% -40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F];最大 ±1.0%,-50°C 至 130°C [-58°F 至 266°F]
    UNSPSC 代码:41112225
    传感器类型:100 Ω,铂 RTD;1000 Ω,铂 RTD
    电源电压:不适用
    自加热:0°C [32 °F] 时,0.4 K/mW;0°C [32 °F] 时,0.6 K/mW;0°C [32 °F] 时,0,8 K/mW
    基级电阻和可互换性:0°C 时,100 Ω ±1.2 Ω;0°C 时,1000 Ω ±1.2 Ω;0°C 时,1000 Ω ±2 Ω;0°C 时,1000 Ω ±0.6 Ω;0°C 时,100 Ω ±0.6 Ω
    0.914 m/s [3 ft/s] 时,水中的时间常数:水流 (v=0.4m/s):t0.5=0.10 s;t0.9=0.25 s;水流 (v=0.4m/s):t0.5=0.05 s;t0.9=0.15 s;水流 (v=0.4m/s):t0.5=0.15 s;t0.9=0.30 s;水流 (v=0.4m/s):t0.5=0.04 s;t0.9=0.12 s
    UNSPSC 商品:41112225 电阻式温度检测器 (RTD)
    端子:引线;焊盘
    空气中的时间常数:气流 (v=2 m/s):t0.5=2.5 s;t0.9=8.0 s;气流 (v=2 m/s):t0.5=3.5 s;t0.9=10.0 s;气流 (v=2 m/s):t0.5=3.0 s;t0.9=8.0 s;气流 (v=2 m/s):t0.5=2.2 s;t0.9=7.0 s
    供电电流:0.3 mA 至 1.0 mA;0.1 mA 至 0.3 mA
    系列名称:700
    产品:700-102BAA-B00;703-102BBB-A00;701-101BAA-B00;703-101BBB-A00;702-101BBB-A00;702-102BBB-A00;700-101BAB-B00;701-102AAB-B00;701-101BAB-B00;701-102BAB-B00;700-102BAB-B00;700-102AAC-B00;700-101BAA-B00;700-102AAB-B00
    温度系数:0.00385 Ω/Ω/°C DIN 规范;0.00375 Ω/Ω/°C
    稳定性:最大 130°C [266°F] 条件下历时 1000 小时后,Ro 漂移为 0.06%;最大 500°C [932°F] 条件下历时 1000 小时后,Ro 漂移为 0.06%
    绝缘电阻:20°C [68°F] 时,100 MΩ
    封装类型:SMT 轴向倒装芯片;径向芯片
    温度感测范围:-50°C 至 130°C [-58°F 至 266°F];-70°C 至 500°C [-94°F 至 932°F]
    端接材料:镀铂镍线;具备镍屏障层的镀锡电位
    建筑:99% 铝质框架,电阻部分,整体耐热玻璃
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    线性度(全量程的 %):典型值 ±0.1% -40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F];最大 ±2.0%,-75°C 至 540°C [-167°F 至 1004°F]
    UNSPSC 代码:41112225
    电源电压:不适用
    传感器类型:100 Ω,铂 RTD;1000 Ω,铂 RTD
    自加热:典型值 <15 mW/°C
    基级电阻和可互换性:0°C 时 1000 Ohm ±1 Ohm;0°C 时,1000 Ω ±2 Ω
    0.914 m/s [3 ft/s] 时,水中的时间常数:<0.5 s
    UNSPSC 商品:41112225 电阻式温度检测器 (RTD)
    端子:引线
    供电电流:典型值 1 mA ,最大值 2 mA
    系列名称:HEL-700
    产品:HEL-712-T-0-12-00;HEL-711-U-1-12-00;HEL-716-T-0-12-00;HEL-712-T-1-12-00;HEL-705-U-1-12-00;HEL-717-T-0-12-00;HEL-707-T-0-12-00;HEL-705-T-1-12-00;HEL-716-U-1-12-00;HEL-716-T-1-12-00;HEL-716-U-0-12-C2;HEL-711-T-0-12-00;HEL-711-U-0-12-00;HEL-705-T-0-12-00;HEL-707-U-1-12-00;HEL-705-U-0-12-00;HEL-712-U-1-12-00;HEL-711-T-1-12-00;HEL-717-U-0-12-00;HEL-707-T-1-12-00;HEL-717-T-1-12-00;HEL-716-U-0-12-00;HEL-712-U-0-12-00;HEL-717-U-1-12-00;HEL-707-U-0-12-00
    温度系数:0.00375 Ω/Ω/°C;0.00385 Ω/Ω/°C DIN 规范
    稳定性:每年 >0.25°C;在使用情况下,每五年 0.05°C
    绝缘电阻:50 Vdc、25°C [77°F] 时为 50 MOhm
    封装类型:陶瓷外壳
    温度感测范围:-70°C 至 260°C [-94°F 至 500°F];-75°C 至 540°C [-100°F 至 1000°F]
    端接材料:24 测量计,镀镍绞合铜,Teflon 绝缘;28 测量计,镀镍绞合铜,Teflon 绝缘;24 测量计,镀镍绞合铜,玻璃纤维绝缘;28 测量计,镀镍绞合铜,玻璃纤维绝缘
    建筑:氧化铝护套;环氧树脂灌封(Teflon 引脚);陶瓷灌封(玻璃纤维引脚)
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    交流、直流电。传感电流范围:±1 A、±5 A、±40 mA、±200;响应时间:3 µs。PCB
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    交流、直流电。传感电流范围:±100 A;响应时间:3 µs。PCB
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    交流、直流电。传感电流范围:±57 A 至 ±950 A;响应时间:3 µs 和 8 µs。3 针 PCB
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    交流、直流电。传感电流范围:±60 A;响应时间:3 µs。PCB
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    交流、直流电。传感电流范围:±9 A、±45 A;响应时间:3 µs。3 针 PCB
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    交流和直流冲击电流。传感电流范围:±150 A、±300 A、±600 A 和 ±900 A;响应时间:3 µs 至 7 µs。Molex 和 Gallant 连接器
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    开环电流传感器采用数字电流输出,当电流超过工作点时,从 Vcc 更改至 0.4 V。不受过流损害。
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:50 A。传感电流范围:±150 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:300 A。传感电流范围:±600 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25 A 额定电流。传感电流范围:±56 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:100 A、200 A、300 A。传感电流范围:±320 A、±600 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:125 A。传感电流范围:±200 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:500 A。传感电流范围:±1000 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:50 A。传感电流范围:±90 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:500 A。传感电流范围:±1200 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:300 A。传感电流范围:±600 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25 A 额定电流。传感电流范围:±43 A;响应时间:< 1 µs ;精度:±0.5%
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:100 A。传感电流范围:±180 A、±200 A;响应时间:< 0.5 µs;精度:±0.5%
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:100 A。传感电流范围:±150 A、±180 A 和 ±200 A ;响应时间:< 0.5 µs;精度:±0.5%
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    25 A、50 A 额定电流。传感电流范围:±36 A 和±90 A;响应时间:< 1 µs;精度:±0.5%
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:50 A。传感电流范围:±70 A、±90 A、±100 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    额定电流:50 A。传感电流范围:±100 A;响应时间:
  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路
    电源电压:3 Vdc 至 24 Vdc
    开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs
    开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs
    释放点:最小 2 G,典型值 4.8 G,最大 9 G;典型值 -130 G (25°C);最小 3 G,典型值 9.3 G,最大 18 G
    操作点:最小 3 G,典型值 7 G,最大 11 G;最小 6 G,典型值 14 G,最大 20 G
    存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F]
    供电电流:5 Vdc 时,最大为 8 mA
    输出类型:灌电流
    系列名称:标准功率
    工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F]
    漏电流:最大 10 µA
    励磁器类型:全向极性
    差压:典型值 5.7 G;典型值 2.2 G
    封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘,3000 件/盘;扁平 TO-92 式,标准直引脚,散装,1000 件/袋
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