在AI大模型爆火的当下，GPU被疯抢，连带HBM内存芯片也在一片寒冬的存储市场脱颖而出，成为三大原厂积极扩产的目标，并持续在该领域发力。
HBM是什么？
HBM（高带宽存储器， High Bandwidth Memory） 是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片，是由 AMD 和 SK Hynix 发起的基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。HBM 以位元计算，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟，目的实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列，目前 HBM 占整个DRAM 市场比重约 1.5%，为新型高性能存储产品。
由于AI 大模型处理数据的吞吐量呈指数级增长，需要应用并行处理数据的 GPU 作为核心处理器，GPU搭载的内存芯片带宽关联 GPU 数据处理能力，高带宽的内存芯片可以为 GPU 提供更快的并行数据处理速度，对GPU的性能起到了决定性作用，HBM也顺势迎来发展机遇。
一系列配套性能自然决定了HBM的需求正不断飙升，三大存储原厂也看到了机遇，陆续决定扩产。
三大原厂积极扩产
据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%。此外，高阶深度学习AI GPU的规格也刺激HBM产品更迭，2023下半年伴随英伟达 H100与AMD MI300的搭载，三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。
SK海力士方面，正在扩建HBM产线，计划将HBM产能翻倍，扩产焦点在于HBM3。据韩媒消息，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，扩建封装HBM3的利川工厂，预计到今年年末，后段工艺设备规模将增加近一倍。值得一提的是，SK海力士在去年6月已率先量产了DRAM HBM3，且已供货英伟达的H100。另据Business Korea报道显示，英伟达已要求SK 海力士提供HBM3E样品，后者正在准备出货样品。
HBM3E是DRAM HBM3的下一代产品，目前SK海力士正在开发，目标明年上半年量产。
三星方面，据韩国ET News消息，三星电子将投资1万亿韩元（约合7.66亿美元）扩大HBM产能，目标是到2024年底将HBM产能翻一番，并且已经下了主要设备的订单。
美光方面，3月份的时候就宣布旗下第二代高带宽存储器（HBM2）即将开始出货。HBM2主要用于高性能显卡、服务器处理器以及各种高端处理器中。
价格是传统DRAM的2~3倍
价格方面，目前HBM的价格比较昂贵，原本就是传统DRAM的2~3倍。而在2023年开年后，随着三星、SK海力士的HBM订单快速增加，之前另有消息称HBM3较DRAM价格上涨5倍。需求方面，由于谷歌、苹果、微软等科技巨头都在筹划扩大AI服务，HBM需求自然水涨船高。
业内预计，明年三星与SK海力士都将进一步扩大投资规模。，“但若想满足未来需求，三星、SK海力士都必须将产能提高10倍以上。
TrendForce表示，从高阶GPU搭载的HBM来看，英伟达高阶GPU H100、A100主要采用HBM2e、HBM3。随着英伟达的A100/H100、AMD的MI200/MI300、谷歌自研的TPU等需求逐步提升，预估2023年HBM需求量将同比增长58％，2024年有望再增长约30％。
国盛证券指出，HBM最适用于AI训练、推理的存储芯片。受AI服务器增长拉动，HBM需求有望在2027年增长至超过6000万片。广发证券也补充，HBM方案目前已演进为高性能计算领域扩展高带宽的主流方案，并逐渐成为主流AI训练芯片的标配。
Omdia则预计，2025年HBM市场规模可达25亿美元。