据外媒报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取专注于尖端产品的策略，将减少库存较多的128层NAND闪存产量。
报道称，三星电子的目标是在今年底前实现NAND闪存供需正常化，并加紧努力克服危机。
据了解，平泽P1工厂主要生产128层第六代V-NAND(V6)产品，此前有消息称，为克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止该工厂的部分NAND闪存生产设备。
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据外媒报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取专注于尖端产品的策略，将减少库存较多的128层NAND闪存产量。
报道称，三星电子的目标是在今年底前实现NAND闪存供需正常化，并加紧努力克服危机。
据了解，平泽P1工厂主要生产128层第六代V-NAND(V6)产品，此前有消息称，为克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止该工厂的部分NAND闪存生产设备。
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