英特尔于1月24日宣布，美国新墨西哥州里奥兰乔（Rio Rancho）的Fab 9芯片厂正式开业。
这是英特尔2021年宣布的35亿美元投资的一部分，旨在升级其新墨西哥工厂，制造先进的半导体包装技术。该工厂将是英特尔第一个大规模生产3D先进半导体包装技术的运营基地之一。英特尔表示，Foveros的3D先进包装技术是第一个垂直堆叠处理器计算块而不是并排堆叠的解决方案。
英特尔说，Fab 9将有助于推动英特尔先进包装技术创新的下一个时代。随着半导体行业进入包装中多个“小芯片”的异构时代，Foveros和EMIB(嵌入式多芯片互连桥)等先进的包装技术为英特尔提供了更快、更具成本效益的方式，实现2030年前单芯片包装1万亿个晶体管的目标。
(JSSIA整理)