据外国媒体报道,三星电子正在积极探索“铁电基薄膜”(Hafnia Ferroelectrics)“作为下一代NAND闪存材料,我希望这种新材料能堆叠超过1000层的3D NAND,并实现pb级ssd。
若上述材料研发顺利,将能够在特定条件下显示铁电性,预计将取代目前的3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜可以提高芯片的耐久性和稳定性。据三星电子高管预测,到2030年左右,其3D NAND的叠层数将超过1000层。
Giwook,三星高管 Kim将于今年6月发表技术演讲,分析基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)V-NAND技术在1000层以上的发展中起着关键作用。这一成就被认为将促进低压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展。
据报道,三星计划明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术达到430层,进一步提高NAND密度,巩固和扩大其领先优势。