据了解，三星明年将批量生产2nm芯片，三星2nm优化多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）与现有的FinFET相比，新工艺显著提高了晶体管的性能，高达11%至46%，同时，可变性降低了26%，漏电率降低了50%左右。
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三星宣布与Synposys(新思科技)合作优化2nm工艺。
据悉，SynopsysAI驱动设计技术协同优化（DTCO）该解决方案优化了三星2nm工艺，提高了面积、性能和能效。
根据计划，三星明年将批量生产2nm芯片。据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）结构还引入了独特的延伸和集成工艺。与现有的FinFET相比，新工艺显著提高了晶体管的性能，高达11%至46%，可变性降低了26%，漏电率降低了约50%。
业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直是先进技术的预订者。在3nm制造战争中，由于良率问题，三星的客户订单倾向于台积电。
因此，2nm工艺对三星来说非常重要，如果三星在2nm工艺上取得成就，肯定会受到客户的青睐。
高通此前曾表示，正在考虑三星和台积电的双代工模式，因此不排除骁龙8 Gen5有可能交给三星OEM。
