据韩国媒体报道，当地时间6月12日，三星电子在硅谷举行了“2024年三星晶圆代工论坛”（Samsung Foundry Forum,SFF）"，并公布了其晶圆代工技术战略。
在活动中，三星公布了SF2Z和SF4U两个新的工艺节点。SF2Z是一种2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）该技术计划于2027年大规模生产，通过将电源轨放在晶圆背面，消除与电源线和信号线相关的互联瓶颈。与第一代2nm技术相比，SF2Z不仅提高了PPA，而且显著降低了电压降（IR drop），从而提高了高性能计算（HPC）的性能。SF4U是一种4nm工艺变体，通过结合光学缩放技术来提高功率、性能和面积（PPA），该工艺计划于2025年量产。
目前三星对SF1.4(1.4)nm）准备工作进展顺利，按计划实现性能和量产目标，预计该工艺将于2027年量产。
在技术路线上，三星重点介绍了全环围栅极（GAA）技术进步。三星的GAA技术已进入大规模生产的第三年。基于GAA技术的演变，三星计划在今年下半年大规模生产第二代3nm技术（SF3），并计划在即将到来的2nm技术中使用GAA。
三星电子晶圆OEM业务部总裁崔思英在演讲中说：“在所有技术都围绕人工智能发生革命性变化的时代，最重要的是实现人工智能的高性能、低功耗半导体，”三星电子将优化人工智能半导体的GAA（Gate-All-Around）在AI时代，工艺技术和光学设备技术为客户提供了一站式的AI解决方案，实现低功耗高速数据处理。到2027年，该公司计划将光学元件集成到人工智能解决方案中。