2CW100XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±5%。

2CW100XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于塑封，功率可以达到5W。芯片厚度为250mm，正面电极材料为银，背面电极材料为银。芯片尺寸：1000 X 1000 (μm)2。压点尺寸：830 X 830 (μm)2。

2ES036067R1PJL  是利用先进的硅电路工艺生产的单通道低电容静电放电保护器件，适合于SOD和FBP 等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±12kV（接触放电）。

2ES039050Z6PJL 是利用硅外延工艺生产的六阵列小功率静电放电保护二极管芯片，适合于塑封；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流(< 1μA)；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES039080R2PGL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于DFN1006、SOT-23等封装外形；输入端对地不大于0.9pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1uA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；输入端对地IEC61000-4-2(ESD)：±15kV（空气放电）±8kV（接触放电）

2ES039XXXR2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于DFN1006、SOT-23等多种封装外形；输入端对地不大于0.9pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；输入端对地IEC61000-4-2(ESD):±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES042033R1PJL是利用先进的硅电路工艺生产的单通道超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOD、DFN、FBP等多种封装外形；输入端对地不大于5pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES043067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2ES050030P1(P)JL是利用硅外延工艺生产的小功率静电保护二极管芯片，适合于塑封；2ES050030P1JL为N型衬底，2ES050030P1PJL为P型衬底；优越的电压箝位能力；快速的响应速度；漏电流小；ESD>15KV(空气模式和接触模式)。

2ES059033R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.6pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2ES059067R4P是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.8pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±10kV（接触放电）。

2ES060067R4PJLSC1是利用先进的硅电路工艺生产的4通道电压轨钳位型超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的超低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±10kV（接触放电）。

2ES062067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2ES063067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于1.5pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD):±20kV（空气放电）；±15kV（接触放电）。

2ES065067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.8pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES078067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的4通道电压轨钳位型超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOT、SO、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地典型电容值为1.0pF；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）。

2ES083067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2ES092067R7PJL是利用先进的硅电路工艺生产的七通道低电容静电放电保护器件，适合于MSOP和DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.4pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES096067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD):±25kV（空气放电）；±18kV（接触放电）。

2ES098180R4PYL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±12kV（接触放电）。

2ES125033R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、SO等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2ES136050R4PJL是利用先进的硅电路工艺专门为Bourns开发的四通道大电流静电放电保护器件，适合于SOT23-6封装外形；输入端对地大于25A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV（空气放电）；±30KV（接触放电）。

2ES156067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8、SOT-23-6等封装外形；输入端对地大于30A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2ES168067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±12kV（接触放电）。

2ES190060R2PJL是利用先进的硅电路工艺专门为Bourns开发的两通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8封装外形；输入端对地大于100A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV（空气放电）；±30KV（接触放电）。