2ES196067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8封装外形；输入端对地大于100A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2ES197033R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8、DFN-10封装外形；输入端对地大于25A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等。2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2KG023075XL是利用硅外延工艺生产的用于塑封的开关二极管芯片；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；有多种厚度可选择，正面电极材料为铝，背面电极材料为金，以适合不同的塑封形式。

2KG023075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片，有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；作为玻封用的芯片，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。

2KG026075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片。利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）。作为塑封用的芯片有多种厚度可选择，以适合不同的封装形式，正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG026075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；作为玻封用的芯片，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。

2KG028075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片，有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；芯片厚度为540mm，正面电极材料为铝，背面无电极材料；芯片尺寸：0.28 X 0.28 (mm2)。

2KG028075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；作为塑封用的芯片有多种厚度可选择，以适合不同的封装形式，正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG028075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；作为玻封用的芯片，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。

2KG029075GL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片，有适合各种封装的正面和背面电极引出形式。利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）。芯片厚度为540mm，正面电极材料为铝，背面无电极材料。芯片尺寸：0.29 X 0.29 (mm2)。

2KG034350JL是利用硅外延工艺生产的高速开关二极管芯片；反向击穿电压高；利用该芯片封装的典型成品有MBD3004；作为塑封用的芯片有多种厚度可选择，以适合不同的封装形式，正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG034400JL是利用硅外延工艺生产的高速开关二极管芯片；高的反向击穿电压；利用该芯片封装的典型成品有MBD5004；作为塑封用的芯片有多种厚度可选择，以适合不同的封装形式，正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG036075NYQ是利用硅外延工艺生产的用于塑封的开关二极管芯片；高速开关二极管；作为玻封用的芯片，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。

2KG037075NGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；芯片正面电极材料为铝，背面无电极材料。

2KG037075NJL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG037075NJL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；芯片正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG037075PGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；芯片正面电极材料为铝，背面无电极材料。

2KG037075PJL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；芯片正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG038075NGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；芯片厚度为540mm，正面电极材料为铝，背面无电极材料；芯片尺寸：0.38 X 0.38(mm)2。

2KG041075PGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；芯片正面电极材料为铝，背面无电极材料。

2KG041250JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片；高速开关二极管；正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG047075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有2CK81D（高速开关二极管）；作为玻封用的芯片，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。

2KG048075NYL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式。作为塑封用的芯片有多种厚度可选择，以适合不同的封装形式，正面电极材料为铝，背面电极材料为银。