SGT15U65SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电机控制，以及PFC等领域。

SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版场截止（Field Stop IV+）工艺制作，专门为转换器应用设计，具有低饱和压降，低开关损耗的优点，可应用于Motor Drives、DC/AC converter等领域。

SGT20T135QR1PS 逆导型绝缘栅双极型晶体管采用新一代逆导型（Reverse Conducting）槽栅场截止工艺制作，具有低导通损耗和开关损耗、高击穿电压、内部集成续流二极管，正温度系数等特点。该产品可应用于感应加热等领域。

SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电机控制，以及PFC等领域。

SGT25U120FD1NP7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT30T60SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电动工具以及PFC等领域。

SGT30T60SD3P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

SGT40T120SDB4P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于变频器，UPS，SMPS等领域。

2ES092067R7PJL是利用先进的硅电路工艺生产的七通道低电容静电放电保护器件，适合于MSOP和DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.4pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES096067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD):±25kV（空气放电）；±18kV（接触放电）。

2ES098180R4PYL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±12kV（接触放电）。

2ES125033R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、SO等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2ES136050R4PJL是利用先进的硅电路工艺专门为Bourns开发的四通道大电流静电放电保护器件，适合于SOT23-6封装外形；输入端对地大于25A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV（空气放电）；±30KV（接触放电）。

2ES156067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8、SOT-23-6等封装外形；输入端对地大于30A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2ES168067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±12kV（接触放电）。

2ES190060R2PJL是利用先进的硅电路工艺专门为Bourns开发的两通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8封装外形；输入端对地大于100A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV（空气放电）；±30KV（接触放电）。

2ES196067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8封装外形；输入端对地大于100A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2ES197033R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8、DFN-10封装外形；输入端对地大于25A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

2GM151PPYL采用平面工艺技术制造，主要市场集中于红外接收头，红外光探测器及其光电转换等；2GM151PPYL适用于DIP、SMD等封装外形。

2KG023075XL是利用硅外延工艺生产的用于塑封的开关二极管芯片；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；有多种厚度可选择，正面电极材料为铝，背面电极材料为金，以适合不同的塑封形式。

2KG023075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片，有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；作为玻封用的芯片，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。

2KG026075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片。利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）。作为塑封用的芯片有多种厚度可选择，以适合不同的封装形式，正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

2KG026075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；作为玻封用的芯片，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。

2KG028075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片，有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；芯片厚度为540mm，正面电极材料为铝，背面无电极材料；芯片尺寸：0.28 X 0.28 (mm2)。

2KG028075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式；利用该芯片封装的典型成品有1N4148（高速开关二极管）；作为塑封用的芯片有多种厚度可选择，以适合不同的封装形式，正面电极材料为铝，背面电极材料为金。