Silan 士兰微
成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业之一士兰微始于1997杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6万片。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开工建设。2020年,士兰化合物半导体生产线正式投产,士兰12英寸芯片生产线开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。公司目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:基于士兰芯片生产线高压、高功率、特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及(各类MCU/专用IC组成的)功率半导体方案MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品、通用ASIC电路光电产品及LED芯片制造和封装(含内外彩屏和LED照明)主要产品分立器件成品,IPM智能功率模块,IGBT及其他功率模块,AC-DC电路,快充电路,DC-DC电路,LED照明驱动电路,栅极驱动集成电路,MEMS传感器电路,MCU电路,数字音视频电路,专用ASIC电路,逻辑及开关电路,LED芯片士兰微荣获多项荣誉士兰微电子注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站,拥有集成电路芯片设计研发人员近400人,芯片工艺、封装技术、测试技术研发队伍等超过2000人,研发队伍中拥有博士、硕士超过400人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委高技术产业化、杭州市重大科技创新专项等项目。公司连续多年入围“中国十大集成电路设计企业”、“中国软件业务收入前百家企业”、“十大中国IC设计公司品牌”,被评为“中国十强半导体企业”、“全国五一劳动奖状”、“浙江省专利示范企业”、“浙江省名牌产品”等荣誉称号。公司研发项目多次荣获国家技术发明奖二等奖、国家科技进步奖二等奖、中国半导体创新产品和技术、浙江省科学技术进步一等奖、杭州市科技进步一等奖等奖项。 诚信、忍耐、探索、热情士兰微电子秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的核心理念,以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成就国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力,并向国际知名品牌的集成电路企业迈进!主要分子公司士兰半导体制造事业总部杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司杭州士兰明芯科技有限公司成都士兰半导体制造有限公司成都集佳科技有限公司厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司MEMS产线(IDM)-6&8英寸杭州士兰微1997年成立,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。自2010年开始,士兰微电子投入大量资金,通过对加速度传感器、地磁传感器、压力传感器等一系列传感器产品的开发,在6吋、8吋芯片生产线上实现了批量制造能力,并建立自己的MEMS封测生产线,初步走通了系列传感器的IDM发展之路,已申请相关发明专利百余项。目前士兰微MEMS传感器产品系列丰富,有:MEMS加速度计、三轴AMR磁传感器、六轴惯性传感器、高性能MEMS麦克风、数字三合一传感器、心率传感器、高性能气压压力传感器等。士兰微是中国MEMS十强企业之一,据其2022上半年度报告披露,2022 年上半年,公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 1.5 亿元,较上年同期增加 7.8%。
  • Silan 士兰微 SGTP30U60FD1PU 绝缘栅双极型晶体管

    SGTP30U60FD1PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT25U120FD1NP7 绝缘栅双极型晶体管

    SGT25U120FD1NP7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGTP75V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管

    SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT30T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管

    SGT30T60SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电动工具以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT15T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管

    SGT15T60SDM2T绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT15T60QD1F(FD) 绝缘栅双极型晶体管

    SGT15T60QD1F/FD绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT20T135QR1PS 逆导型绝缘栅双极型晶体管

    SGT20T135QR1PS 逆导型绝缘栅双极型晶体管采用新一代逆导型(Reverse Conducting)槽栅场截止工艺制作,具有低导通损耗和开关损耗、高击穿电压、内部集成续流二极管,正温度系数等特点。该产品可应用于感应加热等领域。
  • Silan 士兰微 SJT2193PPN(PL) PNP型硅三极管

    SJT2193PPN/PL  PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT2193PPN/PL具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于高功率音频输出,磁头定位器和线性应用程序。具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT2193PPN/PL三极管目前可提供TO-3P和TO-264-3L封装外形。互补NPN管:SJT2194NPN。
  • Silan 士兰微 SJT1837PF PNP型硅三极管

    SJT1837PF PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT1837PF具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT1837PF三极管目前可提供TO-220F-3L封装外形。与SJT1837PF配对的互补NPN管:SJT4793NF。
  • Silan 士兰微 SJT4793NF NPN型硅三极管

    SJT4793NF NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造,多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT4793NF具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT4793NF三极管目前可提供TO-220F-3L封装外形。与SJT4793NF配对的互补PNP管:SJT1837PF。
  • Silan 士兰微 3ZY401400NPYLSA2 NPN型硅三极管

    3ZY401400NPYLSA2 采用平面工艺技术制造,具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY401400NPYLSA2三极管适用于TO-220AB封装外形。
  • Silan 士兰微 3ZY338400NPYL NPN型硅三极管

    3ZY338400NPYL 采用平面工艺技术制造,具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY338400NPYL三极管适用于TO-220AB封装外形。
  • Silan 士兰微 3ZY312400NPYL NPN型硅三极管

    3ZY312400NPYL 采用平面工艺技术制造,具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY312400NPYL三极管适用于TO-220AB封装外形。
  • Silan 士兰微 3ZY173450NPYL NPN型硅三极管

    3ZY173450NPYL采用平面工艺技术制造,具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY173450NPYL三极管适用于TO-126封装外形。
  • Silan 士兰微 3ZY147400NPYLSA1 NPN型硅三极管

    3ZY147400NPYLSA1 采用平面工艺技术制造,具有高温特性好、反向漏电小、开关损耗低、可靠性高的特点。产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中。3ZY147400NPYLSA1三极管适用于TO-92封装外形。
  • Silan 士兰微 3GT645120TFYL 绝缘栅双极型晶体管芯片

    3GT645120TFYL是采用士兰微电子槽栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;采用场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的饱和压降和开关损耗;正面电极材料为铝,背面电极材料为铝、钛、镍、银;该产品主要应用于逆变器,UPS以及焊接等领域。
  • Silan 士兰微 3GT620060PFYL 绝缘栅双极型晶体管芯片

    3GT620060PFYL是采用士兰微电子平面栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;采用场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的饱和压降和开关损耗;正面电极材料为铝,背面电极材料为铝、钛、镍、银;该产品主要应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 3GT427060PFYL 绝缘栅双极型晶体管芯片

    3GT427060PFYL是采用士兰微电子平面栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;采用场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的饱和压降和开关损耗;正面电极材料为铝,背面电极材料为铝、钛、镍、银;该产品主要应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管

    SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGTP75V65FDB1P7 绝缘栅双极型晶体管

    SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT15T120QR1PT 绝缘栅双极型晶体管

    SGT15T120QR1PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT51V65FD1P7 绝缘栅双极型晶体管

    SGT51V65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管

    SGTP40V65FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  • Silan 士兰微 SGT40U120FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管

    SGT40U120FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版槽栅场截止(Field Stop 4+)工艺制作,具有低导通损耗和较低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于工业焊接,UPS,SMPS,光伏等领域。
  • Silan 士兰微 SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管

    SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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