电科装备8英寸碳化硅外延设备模型
6月30日，在2023上海国际半导体展览会（SEMICON China）上，中国电子科技集团旗下中电科电子装备集团有限公司（以下简称“电科装备”）发布了最新研制的8英寸碳化硅外延设备。
电科装备总经理王平向《中国电子报》记者介绍，此次电科装备发布的8英寸碳化硅外延设备有三个突破性的指标，分别是采用该设备生产的8英寸生长厚度均匀性小于1.5%、掺杂浓度均匀性小于4%、表面致命缺陷小于0.4个/cm2。
如今，产能不足是导致碳化硅成本无法下降的主要痛点，因此，产业内开始尝试通过增加晶圆面积来解决。这是由于不同晶圆面积的切割成本相似，但是在大尺寸的晶圆上能够切割出更多的die片（一个单独的晶圆区域），从而可以有效降低die片单位成本。如何将生产传统的4英寸或6英寸晶圆，提升至生产8英寸甚至未来12英寸的晶圆，成为碳化硅设备厂商的关注点之一。
王平向《中国电子报》记者介绍，碳化硅晶圆面积从6英寸提升至8英寸，主要在两个方面有明显的提升。一是能够让单位芯片成本下降50%，二是单个晶圆片的产出率能提高90%。
但是，在提升晶圆面积的同时，如何保证良率是目前需要解决的难题，也是目前8英寸晶圆设备面临的挑战之一。“扩大尺寸是产业链降本增效的有效路径之一。但在扩大尺寸的同时，还需要克服大尺寸外延生长反应源沿程损耗突出、温流场分布不均等难题，这些困难均需要通过8英寸晶圆设备来解决。”王平向《中国电子报》记者说。
王平表示，虽然8英寸晶圆设备是目前国内外都在积极布局的新技术，但如今市场仍处于相对蓝海阶段。因此，对于本土宽禁带半导体企业而言，8英寸碳化硅设备的研发，也是一个绝佳的发展道路。