6 月 5 今年的日新闻 2 月，@Tech_Reve 高通骁龙曾爆料 8 Gen 4 今年的旗舰芯片将基于台积电 3nm 工艺制造，明年推出的骁龙 8 Gen 5 同时使用台积电 三星电子生产。
在昨天在台北国际电脑展举行的媒体发布会上，高通 CEO 克里斯蒂亚诺・安蒙在回答记者关于“依靠台积电生产智能手机芯片的风险”时表示，他正在考虑让台积电和三星电子实施双源生产战略。
安蒙说：“目前的首要任务是专注于台积电的OEM生产，但一家公司可能需要付出巨大的努力来处理这两个方面。” 他欢迎继续与台积电和三星电子合作，并表示将继续支持这种方式。
众所周知，初代骁龙 8 芯片由三星电子OEM制成，但由于过热等问题，后续转向台积电。然而，随着新发布的骁龙 X Elite 随着芯片需求的急剧增加，高通似乎不得不再次考虑与三星合作。
此外，三星电子的下一代也在高通内部。 2nm 为实现其制造工艺的多样化，对工艺表示赞赏，并正在考虑重新分配生产能力。
@Tech_Reve 据透露，高通计划继续让台积电生产骁龙 8 Gen 5 芯片（N3E），而用于 Galaxy S26 小龙系列手机 8 Gen 5 for Galaxy 三星将被用作芯片 SF2P 工艺。
注：与 SF3 相比，SF2 这个过程可以在相同的频率和复杂性下提高 25% 在相同的功耗和复杂性下提高功耗效率 12% 降低相同性能和复杂性的性能 5% 的面积。
为了让 SF2 这一过程更具竞争力，三星还将为这一过程提供一系列先进的过程 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
而 SF2P 是在 SF2 在高性能计算的基础上进行工艺计算（HPC）再次优化，预计性能会有更大的提高。
