台积电InFO技术再升级 不需采用基板及PCB

2020-04-15
关注
摘要 据悉,晶圆代工龙头台积电今年则基于InFO技术再升级,推出支援超高运算效能HPC芯片的SoW封装技术。另外,台积电除了加码扩增7纳米及5纳米等先进制程以应对HPC晶圆代工强劲需求,也同步加码先进封装投资布局。

  据悉,晶圆代工龙头台积电今年则基于InFO技术再升级,推出支援超高运算效能HPC芯片的SoW封装技术。


  最大特色是将芯片阵列、电源供应、散热模组等整合,利用高达6层路线重分布(RDL)制程技术,将多颗芯片及电源分配功能连结,再直接贴合在散热模组上,不需采用基板及PCB。

  HPC芯片是台积电今年营运成长主要动能之一,包括承接超微的Zen2及Zen3架构EPYC伺服器处理器及RDNA及RDNA2架构绘图芯片。英伟达(NVIDIA)Turing及Ampere架构绘图芯片、赛灵思及英特尔的可程式逻辑闸阵列(FPGA)等,以及替Google或微软等网络大厂打造的云端或人工智能运算芯片等。

  台积电除了加码扩增7纳米及5纳米等先进制程以应对HPC晶圆代工强劲需求,也同步加码先进封装投资布局。其中,台积电投入CoWoS(基板上晶圆上芯片封装)制程研发到量产已有将近10年时间,主要针对高阶逻辑芯片量身打造,让HPC芯片可以获得更大的记忆体频宽来加速运算效率。台积电现在最先进的CoWoS技术已可在芯片及基板的中介层(interposer)中达到5层金属层(metallayers)及深沟槽电晶体(DTC)。

  台积电今年推出支援5纳米逻辑SoC及2.5倍光罩尺寸(reticle)中介层、最高支援搭载6颗HBM2e记忆体及最高96GB容量的CoWoS技术,明年将推出支援5纳米逻辑SoC及3倍光罩尺寸中介层、最高支援搭载8颗HBM2e记忆体及最高128GB容量的CoWoS技术。由于HPC芯片的生产排程长达半年,近期疫情带动伺服器需求,但上半年CoWoS生产仍依计划进行,并没有看到订单因疫情蔓延而增加情况发生。

  去年台积电完成整合型扇出暨基板(InFO_oS)、整合型扇出暨记忆体及基板(InFO_MS)等先进封装技术认证及进入量产阶段。台积电针对手机芯片打造的InFO封装技术,苹果A系列应用处理器是InFO_PoP封装最大客户。台积电2017年开始将InFO_oS技术应用在HPC芯片并进入量产,预估2020年InFO_oS技术可有效整合9颗芯片在同一芯片封装中。至于应用在人工智能推理芯片的InFO_MS技术在去年下半年认证通过,可支援1倍光罩尺寸中介层及整合HBM2记忆体。

  此外,根据台积电发布的2020年3月营收报告显示,3月总营收达到新台币1135亿2000万元,约折合人民币266.1亿元,环比增长21.5%,同比增长42.4%。今年第一季度台积电营收约为新台币3,105亿9,700万元(约合人民币728.1亿元,约合103.5亿美元),较去年同期增加了42.0%,超过此前预期的102亿美元至103亿美元上限。

  受5G与AI应用快速发展驱动,这也是台积电历年最旺的第一季度。目前看来,台积电似乎还并不受疫情影响。

您觉得本篇内容如何
评分

评论

您需要登录才可以回复|注册

提交评论

提取码
复制提取码
点击跳转至百度网盘