产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路 |
电源电压:3.8 Vdc 至 30 Vdc |
开关下降时间（90% 至 10%）:最大 1.5 µs |
开关上升时间（10% 至 90%）:最大 1.5 µs |
释放点:最小 4 G（-40°C 至 150°C） |
操作点:最大 25 G （-40°C 至 150°C） |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
输出类型:灌电流 |
供电电流:最大 11 mA |
系列名称:2SS52M |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:全向极性 |
输出电流:最大值 20 mA |
差压:最大 8 G （-40°C 至 150°C） |
封装类型:U-Pack 成型引脚，5000 件/胶带封装盒;U-Pack 直形引脚，5000 件/胶带封装盒;SOT-89B、卷带和卷盘，1000 件/盘;U-Pack 表面贴装，1000 件/包;U-Pack 直形引脚，1000 件/包 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
输出类型:数字式 |
供电电流:典型值 100 uA |
系列名称:Nanopower |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路 |
电源电压:最小 1.65 V，典型值 1.8 V，最大 5.5 V |
励磁器类型:全向极性 |
差压:典型值 4 G;典型值 2 G |
封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘，3000 件/盘 |
释放点:最小 2 G，典型值 5 G;最小 3 G，典型值 10 G |
输出电压:低 |
操作点:最小 6 G，典型值 14 G，最大 20 G;最小 3 G，典型值 7 G，最大 11 G |
输出类型:数字式 |
供电电流:典型值 2.5 mA |
系列名称:微功率 SL353 |
占空比:极低：0.013% 典型值;高：13% 典型值 |
工作温度:-40°C 至 85°C [-40°F 至 185°F] |
产品类型: 霍尔效应数字式位置传感器集成电路 |
电源电压:最小 2.2 Vdc，典型值 2.8 Vdc，最大 5.5 Vdc |
励磁器类型:全向极性 |
封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘，3000 件/盘 |
输出电压:低 |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路 |
电源电压:3 Vdc 至 24 Vdc |
开关下降时间（90% 至 10%）:最大 1.5 µs |
开关上升时间（10% 至 90%）:最大 1.5 µs |
释放点:最小 2 G，典型值 4.8 G，最大 9 G;典型值 -130 G (25°C);最小 3 G，典型值 9.3 G，最大 18 G |
操作点:最小 3 G，典型值 7 G，最大 11 G;最小 6 G，典型值 14 G，最大 20 G |
存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F] |
供电电流:5 Vdc 时，最大为 8 mA |
输出类型:灌电流 |
系列名称:标准功率 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:全向极性 |
差压:典型值 5.7 G;典型值 2.2 G |
封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘，3000 件/盘;扁平 TO-92 式，标准直引脚，散装，1000 件/袋 |
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