SD8512C是内置N型功率MOSFET的同步整流控制IC（SR），配合原边控制电路，能在开关模式下提高系统效率。SD8512C具有集成度，外部元件极简，可采用输出端直接供电。SD8512C支持5V/2-2.4A输出的应用，适用断续导通模式和临界导通模式。

SD8525H是一款内置MOS的高性能，快速关断的同步整流控制芯片。在高性能隔离型电源拓扑应用中替代肖特基二极管，以提高系统效率。可配合原边芯片工作在CCM、DCM、QR多种工作模式。SD8525H采用内置VCC供电技术，集成高压供电和输出供电两种供电方式。内置斜率检测功能，防止在谐振阶段的误导通。同时兼容高侧端应用和低侧端应用。SD8525H采用SOP8贴片封装。

SD8530AS是内置高压三极管的原边控制模式的开关电源控制器（PSR），内置线损补偿和峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路。采用SD8530AS，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低成本。SD8530AS在全电压范围内支持最高输出功率6W。

SD8666QS是用于开关电源的内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式PWM+PFM控制器。SD8666QS具有多重模式控制：在重载下，高压时工作在QR模式，可以减小开关损耗，低压时工作固定频率（65KHz）的CCM模式。在中载和轻载下，工作在QR+PFM模式，可以提高转换效率。在空载下，进入打嗝模式，有效地降低电路的待机功耗。SD8666QS具有抖频功能，以降低EMI。具有峰值电流补偿功能，在不同的AC输入电压下能保持极限输出功率一致。还有软启动功能，在上电过程中减小器件应力。SD8666QS内部集成了各种异常状态的保护功能，包括VCC过压保护，输出过载保护，输出过压保护，前沿消隐，逐周期峰值限流，输出二极管短路保护，AC输入电压欠压和过温保护等。

SDH2103U是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号双高互锁保护功能及内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH2104U是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置VCC欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有使能控制功能及内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH2105U是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号双高互锁保护功能以及内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH2106SA是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号双高互锁保护功能，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH2106U是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号双高互锁保护功能，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH2106U是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号双高互锁保护功能，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH2126是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置VCC欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号互锁保护功能，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH21263是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。它内置VCC欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号互锁保护功能，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。

SDH2136U是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。

SDH21617是一款用于驱动N型功率MOSFET和IGBT等功率器件的高速栅极驱动电路，两路独立的通道可分别为输出级容性负载提供瞬态+2.0A/-2.0A的充放电电流。

SDH21697是一款用于驱动N型功率MOSFET和IGBT等功率器件的高速栅极驱动电路，可为输出级容性负载提供瞬态+2.0A/-2.0A的充放电电流。

SDH761XSN是一款高精度、低成本的原边反馈LED恒流驱动芯片，应用于反激隔离LED照明。芯片工作在电感电流断续模式，适用于90Vac~265Vac全范围输入电压。SDH761XSN集成高压功率MOS，内置高压启动电路，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电；SDH761XSN无需外部VCC电容；极大节省了系统成本。SDH761XSN内部集成多种保护功能，包括过压保护，过热调节等，增强了系统安全性和可靠性。SDH761XSN采用SOP-7-255-1.27封装。

SDH771XN是一款高精度LED恒流驱动控制芯片，适用于85VAC~265VAC全范围交流输入电压的非隔离降压型LED恒流电源系统。SDH771XN内置高压供电电路，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电，同时更省去了传统的外置电源电容，在加快系统启动的同时又极大地节省了系统成本。电路工作在电感电流临界导通模式，采用特有的高精度电流采样技术，结合内部补偿，能获得高恒流精度和优异的线性/负载调整率。SDH771XN内部集成多种保护功能，包括输出短路保护、输出开路保护、逐周期过流保护、过热调节、采样电阻开路保护等，增强了系统的安全性和可靠性。其中开路保护电压可通过ROVP管脚设置。

SDH771XRL是一款高精度LED恒流驱动控制芯片，适用于85VAC~265VAC全范围交流输入电压的非隔离降压型LED恒流电源系统。SDH771XRL创造性地在内部集成了整流桥、500V高压功率MOS、600V续流二极管，极大地简化了系统的外围器件需求；同时电路内置高压供电结构，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电，省去了传统的外置VCC电源电容，在加快系统启动的同时进步一节省了系统成本。SDH771XRL工作在电感电流临界导通模式，采用特有的高精度电流采样技术，能获得高恒流精度和优异的线性/负载调整率。电路内部集成多种保护功能，包括输出短路保护、逐周期过流保护、过热调节、过温保护、采样电阻开路保护等，增强了系统的安全性和可靠性。

SDH771XRN是一款高精度LED恒流驱动控制芯片，适用于85VAC~265VAC全范围交流输入电压的非隔离降压型LED恒流电源系统。SDH771XRN创造性地在内部集成了整流桥、500V高压功率MOS、600V续流二极管，极大地简化了系统的外围器件需求；同时电路内置高压供电结构，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电，省去了传统的外置VCC电源电容，在加快系统启动的同时进步一节省了系统成本。SDH771XRN工作在电感电流临界导通模式，采用特有的高精度电流采样技术，能获得高恒流精度和优异的线性/负载调整率。电路内部集成多种保护功能，包括输出开路保护、输出短路保护、逐周期过流保护、过热调节、过温保护、采样电阻开路保护等，增强了系统的安全性和可靠性。其中系统的开路保护电压可通过ROVP管脚外部设置。

SDH771XTL是一款高精度LED恒流驱动控制芯片，适用于85VAC~265VAC全范围交流输入电压的非隔离降压型LED恒流电源系统。SDH771XTL集成500V高压功率MOS和600V续流二极管，内置高压供电电路，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电，同时更省去了传统的外置VCC电源电容，在加快系统启动的同时又极大地节省了系统成本。电路工作在电感电流临界导通模式，采用特有的高精度电流采样技术，结合内部补偿，能获得高恒流精度和优异的线性/负载调整率。SDH771XTL内部集成多种保护功能，包括输出短路保护、逐周期过流保护、过热调节、采样电阻开路保护等，增强了系统的安全性和可靠性。

SDH771XTN是一款高精度LED恒流驱动控制芯片，适用于85VAC~265VAC全范围交流输入电压的非隔离降压型LED恒流电源系统。SDH771XTN集成500V高压功率MOS和600V续流二极管，内置高压供电电路，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电，同时更省去了传统的外置VCC电源电容，在加快系统启动的同时又极大地节省了系统成本。电路工作在电感电流临界导通模式，采用特有的高精度电流采样技术，结合内部补偿，能获得高恒流精度和优异的线性/负载调整率。SDH771XTN内部集成多种保护功能，包括输出短路保护、输出开路保护、逐周期过流保护、过热调节、采样电阻开路保护等，增强了系统的安全性和可靠性。其中开路保护电压可通过ROVP管脚设置。

SDH8312内置高压启动以及自供电功能，可满足快速启动以及低待机功耗的要求。具有自适应降频功能，可进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能，能够减小器件的应力，有效防止启动时电感饱和。SDH8312内部还集成了各种异常状态的保护功能，包括：VDD欠压保护，开环保护，输出过载保护，输出短路保护，过温保护等。触发保护后，电路会不断自动重启，直到系统正常工作为止。

SDH8322S 是高压启动，内置高压MOSFET的电流模式PWM+PFM控制器，适用于Buck及Buck-Boost拓扑。SDH8322S 在轻载条件下降频工作，优化轻载条件下的转换效率。在极轻载及空载条件下工作于打嗝模式，从而有效地降低系统的待机功耗。SDH8322S 内部集成了全面的异常状态保护功能，包括VDD欠压保护，VDD过压保护，前沿消隐，过流保护，过温保护等。SDH8322S 可通过管脚配置输出电压，12V/15V/18V输出电压可选。SOP8贴片封装，在全电压范围支持最大输出200mA电流。

SDH8323 是高压启动，内置高压MOSFET的电流模式PWM+PFM控制器，适用于Buck及Buck-Boost拓扑。SDH8323 在轻载条件下降频工作，优化轻载条件下的转换效率。在极轻载及空载条件下工作于打嗝模式，从而有效地降低系统的待机功耗。SDH8323 内部集成了全面的异常状态保护功能，包括VDD欠压保护，VDD过压保护，前沿消隐，过流保护，过温保护等。SDH8323 可通过管脚配置输出电压，12V/15V/18V输出电压可选。DIP7封装，在全电压范围支持最大输出300mA电流。

SDH8594ES是高性能的原边反馈（PSR）开关电源控制器，采用PFM调制技术，具有高性能和高效率。内置650V的MOSFET和采用自有专利的高压启动技术，外围元器件极简。采用SDH8594ES方案，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本，同时具有良好的线性调整率和负载调整率。SDH8594ES在全电压范围内支持最高12W输出的应用。