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深圳华美智芯
深圳市华美智芯科技有限公司 注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区振华路122号海外装饰大厦2栋B座501-506，注册机关为福田局，法人代表为李红英，经营范围包括一般经营项目是：电子产品销售；电子元器件零售；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；电子专用材料销售；计算机软硬件及辅助设备零售；互联网销售（除销售需要许可的商品）；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；国内贸易代理。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：货物进出口；技术进出口。
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  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3GT620060PFYL是采用士兰微电子平面栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管；采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗；正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；该产品主要应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3GT645120TFYL是采用士兰微电子槽栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗;正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；该产品主要应用于逆变器，UPS以及焊接等领域。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD483650SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型650V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD484600SYH-8为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD499500YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为13N50；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD499600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为12N60；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD499650YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型650V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为12N65；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动；

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD517040YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；较高的雪崩击穿耐量；优越的开关性能；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD1404；封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD518040YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；较高的雪崩击穿耐量；优越的开关性能；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD1404T；封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD524600SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD528900YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型900V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为11N90；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD533500YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为13N50；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD533500YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为18N50；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD533600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为13N60；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD533650YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型650V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；该芯片可采用TO-220封装，典型的成品规格为18N65；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD548900NEYL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型900V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-3P型式封装，典型的成品规格为9N90；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD549500NEYL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-3P型式封装，典型的成品规格为15NE50；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；较高的雪崩击穿耐量；优越的开关性能；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD260；封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD582500YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为20N50；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD582500YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为20N50；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD582600YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为20N60；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD582600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-220型式封装，典型的成品规格为20N60；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD623500NEYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；先进的高压分压终止环结构；较高的雪崩能量；漏源二极管恢复时间快；该芯片可采用TO-3P型式封装，典型的成品规格为25NE50；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD672600SFYH-8为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；内置快恢复体二极管；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。

  • Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列 工业压力传感器

    3VD672600SYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。
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