3DD328120PPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性高的特点；产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中；3DD328120PPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补PNP管：3DD328120NPYL。

3DD464230PPYL  采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计提升了器件的抗二次击穿能力。产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。3DD464230PPYL三极管适用于TO-3P封装外形。互补NPN管：3DD464230NPYL。

SJT0302PPN PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0302PPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0302PPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管：SJT0281NPN。

SJT1837PF PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT1837PF具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT1837PF三极管目前可提供TO-220F-3L封装外形。与SJT1837PF配对的互补NPN管：SJT4793NF。

SJT1941PPN PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT1941PPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT1941PPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管：SJT5198NPN。

SJT2193PPN/PL  PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT2193PPN/PL具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于高功率音频输出，磁头定位器和线性应用程序。具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT2193PPN/PL三极管目前可提供TO-3P和TO-264-3L封装外形。互补NPN管：SJT2194NPN。

SJT688APPN  PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT688APPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用于汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT688APPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管：SJT718ANPN。