Pd-功率耗散:75 mW |
上升时间:5 us |
下降时间:6 us |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:15 deg |
单位重量:60.812 mg |
商标:Sharp Microelectronics |
宽度:1.5 mm |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:SMD |
峰值波长:910 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:20 mA |
暗电流:100 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 30 C |
类型:Phototransistor |
长度:3 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
高度:2.2 mm |
Pd-功率耗散:175 mW |
上升时间:100 ns |
下降时间:50 ns |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:15 us |
商标:Sharp Microelectronics |
封装:Bulk |
工作电源电压:4.5 V to 17 V |
工厂包装数量:500 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 25 C |
类型:Optoschmitt |
输出电流:50 mA |
长度:3 mm |
高度:4 mm |
Pd-功率耗散:175 mW |
上升时间:100 ns |
下降时间:50 ns |
产品种类:光电晶体管 |
传播延迟—最大值:15 us |
商标:Sharp Microelectronics |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
工作电源电压:4.5 V to 17 V |
工厂包装数量:500 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 25 C |
类型:Optoschmitt |
输出电流:50 mA |
长度:3 mm |
查看更多