逆变
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精准 模糊
  • Cantherm / Microtherm Thermal Cut-outs&Bimetal Thermal Switches 热敏开关和热保护器

    特征:Automatic Reset
    高温设定点:149 to 356 F (65 to 180 C)
    迟滞 / 差异:27 to 81 DegF (15 to 45 DegC)
    使用寿命:7000 to 10000 Number of Cycles
    最大交流电压:120 to 600 volts
    最大电流:1.00E-3 to 22 amps
    最大直流电压:24 volts
    安装:Surface Mount; Leads
    重复性/公差:9 to 27 +/-F (5 to 15 +/-C)
    开关点:Fixed
    开关形式:Normally Open, NO (optional feature); Normally Closed, NC (optional feature); Open on Temperature Rise
    产品类别:Thermal Switches and Thermal Protectors
    特征:Automatic Reset
    高温设定点:149 to 356 F (65 to 180 C)
    迟滞 / 差异:27 to 81 DegF (15 to 45 DegC)
    使用寿命:7000 to 10000 Number of Cycles
    最大交流电压:120 to 600 volts
    最大电流:1.00E-3 to 22 amps
    最大直流电压:24 volts
    安装:Surface Mount; Leads
    重复性/公差:9 to 27 +/-F (5 to 15 +/-C)
    开关点:Fixed
    开关形式:Normally Open, NO (optional feature); Normally Closed, NC (optional feature); Open on Temperature Rise
    产品类别:Thermal Switches and Thermal Protectors
  • Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

    SVT035R5NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

    SVG105R4NT(S)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

    SVG10170ND(T)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

    SVG105R0NL5   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

    SVT03380PSA   P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

    SVG10111ND  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

    SVG10111NA6  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

    SVG15670NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SGM400PB7B1TFM 400A/650V IGBT模块

    SGM400PB7B1TFM是一款符合汽车标准的功率模块,适用于功率范围30-60kW的电动汽车应用。该模块以150°C工作结温设计,配备士兰微Trench-Field-Stop IGBT4和匹配的发射极控制FRD。基于士兰微在IGBT功率模块开发的长期经验,对新材料和封装技术的深入研究成果,高质量的自动化产线管控,B1模块具备超低的导通损耗及优异的短路能力。B1模块可以风冷和水冷控制,铜底板、高性能陶瓷基板和引线键合工艺的高度结合,为混动和纯电应用逆变器提供优秀的热循环和功率循环能力,保证了系统最高可靠性。
  • 美思先端 MTP20-A6-SF6 气体传感器

    MTP20-A6-SF6 红外热电堆气体传感器是一款采用TO-39封装的双通道六氟化硫气体传感器,内置MEMS热电堆芯片,10.56μm/3.95μm窄带滤光片,具有高灵敏度、高精度NTC等特性。广泛应用于NDIR六氟化硫气体探测器、功率设备安全监控、工业过程监控以及电气功率系统等领域。
  • Sencoch 芯感智 GZG363型 气体传感器

    GZG363型双通道SF6气体传感器产品特点:  MEMS热电堆芯片  TO-39封装(双通道)  高精度NTC  10.6/3.95μm窄带滤光片  快速响应、高信号 应用领域:  NDIR SF6 气体探测器  工业过程监控  设备腐蚀安全监控  电气功率系统
  • 锦州利诚 JLC-QTF分布式光伏气象站 环境检测仪 太阳辐射仪器

    分布式光伏气象站是对分布式光伏发电环境监测系统可以连接到监控系统上,由监控系统对环境监测系统的数据进行显示、记录及分析,也可以连接到逆变器控制系统、由控制系统对传感器数据进行分析,保证光伏电站的有效运行。
  • 锦州利诚 JLC-QTF分布式光伏气象站 环境检测仪_copy 太阳辐射仪器

    分布式光伏气象站是对分布式光伏发电环境监测系统可以连接到监控系统上,由监控系统对环境监测系统的数据进行显示、记录及分析,也可以连接到逆变器控制系统、由控制系统对传感器数据进行分析,保证光伏电站的有效运行。
  • 兴感半导体 SC2540 电流传感器

    兴感半导体 SC2540 电流传感器
  • 兴感半导体 SC2640 电流传感器

    兴感半导体 SC2640 电流传感器
  • 成都国科 水电站机组测温测速制动控制屏 水电站辅机控制系统解决方案

    WK2000测温测速监控系统,采用进口型嵌入式系统硬件、微软WinCE操作系统构成的液晶触摸屏为重要控制单元,全智能温度采集模块通讯传送,实现对机组推力轴、导轴承瓦温、定子线圈、定子铁芯、油箱油温、冷却器进出口温度的定点/巡检监视测量。 同时配置了以全进口气动元件构成的JZF集成制动阀组,完成机组的制动气源压力、制动阀组状态进行监测。
  • 美思先端 MTP20-A6-SF6(10.56/10μm) 气体传感器

    MTP20-A6-SF6 红外热电堆气体传感器是一款采用TO-39封装的双通道六氟化硫气体传感器,内置MEMS热电堆芯片,10.56μm/10μm窄带滤光片,具有高灵敏度、高精度NTC等特性。广泛应用于NDIR六氟化硫气体探测器、功率设备安全监控、工业过程监控以及电气功率系统等领域。
  • 美思先端 MTP20-A6-SF6(10.6/3.95μm) 气体传感器

    MTP20-A6-SF6 红外热电堆气体传感器是一款采用TO-39封装的双通道六氟化硫气体传感器,内置MEMS热电堆芯片,10.6/3.95μm窄带滤光片,具有高灵敏度、高精度NTC等特性。广泛应用于NDIR六氟化硫气体探测器、功率设备安全监控、工业过程监控以及电气功率系统等领域。
  • 美思先端 MTP20-A6-SO2 气体传感器

    MTP20系列双通道热电堆传感器,根据不同气体的光学特性采用不同规格的滤光片,内嵌高精度NTC热敏电阻及MEMS热电堆芯片。采用TO-39封装,具有高灵敏度、高精度等特性,长期稳定性优异,维护成本低,可用于各种气体探测的场景。