逆变
行业应用
精准 模糊
  • MTC Industries & Research Carmiel Ltd. MVG-1806-1 陀螺仪

    测量轴数:Biaxial
    产品类型:模组
    最大尺寸:123 inch (3129 mm)
    工作温度:-30 to 70 F (-34 to 21 C)
    精度:1 ±% Full Scale
    最大冲击 :40 g
    最大振动 :1 g
    产品类别:Gyroscopes
    测量轴数:Biaxial
    产品类型:模组
    最大尺寸:123 inch (3129 mm)
    工作温度:-30 to 70 F (-34 to 21 C)
    精度:1 ±% Full Scale
    最大冲击 :40 g
    最大振动 :1 g
    产品类别:Gyroscopes
  • RS Components 欧时 1273085 光电传感器及开关

    Operating Temperature:158 F (70 C)
    Body Shape:Slot
    Height:0.3949 inch (10.03 mm)
    Length:0.9382 inch (23.83 mm)
    Product Category:Photoelectric Sensors
    Operating Temperature:158 F (70 C)
    Body Shape:Slot
    Height:0.3949 inch (10.03 mm)
    Length:0.9382 inch (23.83 mm)
    Product Category:Photoelectric Sensors
  • RS Components 欧时 1711830 接近传感器

    技术:Photoelectric Sensors
    工作温度:185 F (85 C)
    主体形状:Slot
    高度:0.4189 inch (10.64 mm)
    长度:0.9598 inch (24.38 mm)
    产品类别:Proximity Sensors
    技术:Photoelectric Sensors
    工作温度:185 F (85 C)
    主体形状:Slot
    高度:0.4189 inch (10.64 mm)
    长度:0.9598 inch (24.38 mm)
    产品类别:Proximity Sensors
  • RS Components 欧时 3219291 接近传感器

    技术:Photoelectric Sensors
    工作温度:158 F (70 C)
    主体形状:Slot
    产品类别:Proximity Sensors
    高度:0.6150 inch (15.62 mm)
    长度:0.9350 inch (23.75 mm)
    技术:Photoelectric Sensors
    工作温度:158 F (70 C)
    主体形状:Slot
    产品类别:Proximity Sensors
    高度:0.6150 inch (15.62 mm)
    长度:0.9350 inch (23.75 mm)
  • Silan 士兰微 SGM75PB12A4CTFD 75A/1200V IGBT模块

    SGM75PB12A4CTFD模块性能优良,适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
  • Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管

    SVG06100NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 3VD579200YH N沟道增强型MOSFET芯片

    3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管;较高的雪崩击穿耐量;优越的开关性能;该芯片可采用TO-220形式封装,典型的成品规格为SVD260;封装后的成品广泛应用于功率电源,电源逆变器。
  • Silan 士兰微 3VD517040YL N沟道增强型MOSFET芯片

    3VD517040YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管;较高的雪崩击穿耐量;优越的开关性能;该芯片可采用TO-220形式封装,典型的成品规格为SVD1404;封装后的成品广泛应用于功率电源,电源逆变器。
  • Silan 士兰微 3GT645120TFYL 绝缘栅双极型晶体管芯片

    3GT645120TFYL是采用士兰微电子槽栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;采用场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的饱和压降和开关损耗;正面电极材料为铝,背面电极材料为铝、钛、镍、银;该产品主要应用于逆变器,UPS以及焊接等领域。
  • Silan 士兰微 SGM950PB8B3TFM 950A/750V IGBT模块

    SGM950PB8B3TFM是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,为严苛环境条件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。
  • Silan 士兰微 SGM200PB12A4CTFD 200A/1200V IGBT模块

    SGM200PB12A4CTFD模块性能优良,适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
  • Silan 士兰微 SGM30PA6A5TFD 30A,650V IGBT模块

    SGM30PA6A5TFD模块性能优良,适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
  • Silan 士兰微 SGM150PB12A4CTFD 150A/1200V IGBT模块

    SGM150PB12A4CTFD模块性能优良,适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。
  • 意瑞半导体 CHA923 接近传感器

    电源要求:直流供电
    工作温度:-40 至 150 C
    工作电压:2.5V~22V
    产品类型:单极
    带宽:30KHz
    输出形式: 开漏输出
    静态电流:1.6mA
    ESD: 8000V
    操作点(Brp)::60G
    操作点(Bop)::140G
    封装: TO-92S, SOT23-3L
    等级:汽车级
    特殊功能:反向保护,输出限流
    电源要求:直流供电
    工作温度:-40 至 150 C
    工作电压:2.5V~22V
    产品类型:单极
    带宽:30KHz
    输出形式: 开漏输出
    静态电流:1.6mA
    ESD: 8000V
    操作点(Brp)::60G
    操作点(Bop)::140G
    封装: TO-92S, SOT23-3L
    等级:汽车级
    特殊功能:反向保护,输出限流
  • 意瑞半导体 CHA925 接近传感器

    工作温度:-40 至 150 C
    电源要求:直流供电
    工作电压:2.5V~22V
    产品类型:单极
    带宽:30KHz
    输出形式: 开漏输出
    静态电流:1.6mA
    ESD: 8000V
    操作点(Brp)::200G
    操作点(Bop)::250G
    封装: TO-92S, SOT23-3L
    等级:汽车级
    特殊功能:反向保护,输出限流
    工作温度:-40 至 150 C
    电源要求:直流供电
    工作电压:2.5V~22V
    产品类型:单极
    带宽:30KHz
    输出形式: 开漏输出
    静态电流:1.6mA
    ESD: 8000V
    操作点(Brp)::200G
    操作点(Bop)::250G
    封装: TO-92S, SOT23-3L
    等级:汽车级
    特殊功能:反向保护,输出限流
  • 兴感半导体 SC780 电流传感器

    兴感半导体 SC780 电流传感器
  • 兴感半导体 SC783 电流传感器

    兴感半导体 SC783 电流传感器
  • 鼎信智慧科技 DX-BTS100-CW 变电站红外测温在线监控系统

    鼎信智慧科技的变电站红外测温在线监控系统采用非接触式测量方式,利用红外探测器实时扫描红外热成像物体,并在单元上显示红外热成像图,并对异常温度部件进行定位,帮助运维人员实时掌握设备工作时的温度,降低设备高温过热导致的线路故障。
  • 成都虹威 虹威科技程控交流电源HW90G03 交流电源

    HW90G03交流电阻负载是程控可调负载箱,固定电压下设定不同电流 或功率进行测试。可用于电池组、逆变器、智能开关等产品的功率检测。 采用新型功耗组件,功率密度高,散热采用强制风冷方式。
  • 兴感半导体 SC2180 电流传感器

    兴感半导体 SC2180 电流传感器