SVG10111NA6  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点

• 2.6A，100V，R_{DS(on)(典型值)}=85mΩ@V_GS=10V

• 低栅极电荷

• 低反向传输电容

• 开关速度快

• 提升了dv/dt 能力    

• 100%雪崩测试

• 无铅管脚镀层

• 符合RoHS环保标准

封装外形图

SOT-23-6L