储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):62° |
透过波长范围:8~14μm 带通 |
平均透过率:≥75%,8~14μm |
平均截止率:1%,<7.5μm;1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
测量范围:体温模式 32~42.5 ℃, 物表模式 0~300 ℃ |
精度:±0.3℃用于体温模式; ±1℃ 或者±1% m.v 用于物表模式 |
工作温度:0~50 ℃;0~95%RH (无凝结) |
视角 (50%信号强度):5° |
测量周期 (测量周期可设置):0.5 s |
数字分辨率:0.1 ℃ |
D:S:10:1 |
光谱响应:5.5~14 μm |
温度补偿:10.0~40.0 °C |
供电电压:4.5~5.5 V |
工作电流:工作电流 |
输出信号:UART |
通讯电平:TTL 3.3 V |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):62° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:带通滤光片 |
透过波长范围:8~14μm |
平均透过率:≥75%,8~14μm |
平均截止率:1%,<7.5μm;1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场 (50%最大信号):76° |
透过波长范围:5.5~14μm 长波通 |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):12° |
DS比率:8:1 |
焦距 (未镀膜硅透镜):5.5mm |
透过波长范围:可提供镀膜:5.5~14μm 长波通;8.0~14μm带通 |
平均透过率:50% 5.5~14μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):7° |
DS比率:10:1 |
焦距 (未镀膜硅透镜):10.6mm |
透过波长范围:可提供镀膜:5.5~14μm 长波通;8.0~14μm带通 |
平均透过率:50% 5.5~14μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):18° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
测量范围:体温模式 32~42.5 ℃, 物表模式 0~300 ℃ |
精度:±0.3℃用于体温模式; ±1℃ 或者±1% m.v 用于物表模式 |
视角 (50%信号强度):12.4° |
测量周期 (测量周期可设置):0.5 s |
数字分辨率:0.1 ℃ |
D:S:6:1 |
光谱响应:5.5~14 μm |
温度补偿:10.0~40.0 °C |
供电电压:4.5~5.5 V |
工作电流:<2 mA |
输出信号:UART / IIC |
通讯电平:TTL 3.3 V |
工作环境:0~50 ℃;0~95%RH (无凝结) |
尺寸:35×26×30mm |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):10° |
DS比率:8:1 |
透过波长范围:5.5~14μm 长波通 |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
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