SGM150HF12A1TSD模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机、感应加热等。

SGM150HF12A3TFD模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。

SGM150HF6A1TFD模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。

SGM150PB12A4CTFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。

SGM200HF6A1TFD模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。

SGM200PB12A4CTFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。

SGM300HF12A3TLD模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。

SGM30PA6A5TFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。

SGM400PB7B1TFM是一款符合汽车标准的功率模块，适用于功率范围30-60kW的电动汽车应用。该模块以150°C工作结温设计，配备士兰微Trench-Field-Stop IGBT4和匹配的发射极控制FRD。基于士兰微在IGBT功率模块开发的长期经验，对新材料和封装技术的深入研究成果，高质量的自动化产线管控，B1模块具备超低的导通损耗及优异的短路能力。B1模块可以风冷和水冷控制，铜底板、高性能陶瓷基板和引线键合工艺的高度结合，为混动和纯电应用逆变器提供优秀的热循环和功率循环能力，保证了系统最高可靠性。

SGM40HF12A1TFDS模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。

SGM50HF12A1TFD模块性能优良，适用于不间断电源,交流变频驱动器、电焊机等。

SGM50HF12A1TFDT4模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。

SGM75HF12A1TFD模块性能优良，适用于不间断电源,交流变频驱动器、电焊机等。

SGM75HF12A1TFDT4模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。

SGM75PB12A4CTFD模块性能优良，适用于辅助逆变器、空调、电机驱动等。

SGM950PB8B3TFM是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。

SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT10T60SDM 2T 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT15T120QR1PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT15T60QD1F/FD绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT15T60SDM2T绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT15U65SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电机控制，以及PFC等领域。

SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版场截止（Field Stop IV+）工艺制作，专门为转换器应用设计，具有低饱和压降，低开关损耗的优点，可应用于Motor Drives、DC/AC converter等领域。

SGT20T135QR1PS 逆导型绝缘栅双极型晶体管采用新一代逆导型（Reverse Conducting）槽栅场截止工艺制作，具有低导通损耗和开关损耗、高击穿电压、内部集成续流二极管，正温度系数等特点。该产品可应用于感应加热等领域。