SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电机控制，以及PFC等领域。

SGT25U120FD1NP7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT30T60SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电动工具以及PFC等领域。

SGT30T60SD3P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

SGT40T120SDB4P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于变频器，UPS，SMPS等领域。

SGT40U120FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版槽栅场截止（Field Stop 4+）工艺制作，具有低导通损耗和较低开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于工业焊接，UPS，SMPS，光伏等领域。

SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管采用第四代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和关断损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于电焊机，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT51V65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGTP30U60FD1PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGTP40V65FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SJT0281NPN NPN型低频大功率管采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造，三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。与SJT0281NPN配对的互补PNP管：SJT0302PPN。

SJT0302PPN PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0302PPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0302PPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管：SJT0281NPN。

SJT1837PF PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT1837PF具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT1837PF三极管目前可提供TO-220F-3L封装外形。与SJT1837PF配对的互补NPN管：SJT4793NF。

SJT1941PPN PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT1941PPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT1941PPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管：SJT5198NPN。

SJT2193PPN/PL  PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT2193PPN/PL具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于高功率音频输出，磁头定位器和线性应用程序。具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT2193PPN/PL三极管目前可提供TO-3P和TO-264-3L封装外形。互补NPN管：SJT2194NPN。

SJT2194NPN NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT2194NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于高功率音频输出,磁头定位器和线性应用程序。具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT2194NPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补PNP管：SJT2193PPN

SJT4793NF NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT4793NF具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT4793NF三极管目前可提供TO-220F-3L封装外形。与SJT4793NF配对的互补PNP管：SJT1837PF。

SJT5198NPN NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT5198NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT5198NPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补PNP管：SJT1941PPN

SJT688APPN  PNP型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT688APPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用于汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT688APPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补NPN管：SJT718ANPN。

SJT718ANPN NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT718ANPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT718ANPN三极管目前可提供TO-3P封装外形。互补PNP管：SJT688APPN

SLP74AHC14是一款高速硅栅CMOS器件。SLP74AHC14包含六个独立反相器。每个通道都为一个独立的反相器。由于施密特触发器的作用，该器件能够将缓慢变化的输入信号转换为快速变化的无抖动输出信号。